ZHCUC64B August 2024 – May 2025 DRV8162 , INA241A , ISOM8710
VGVDD 和 VGVDD_SL 電壓可以定義導通狀態 VGS,即 FET 在應用中的實際高電平柵極電壓。
該值可用于確定 FET 在給定電壓下的 RDS(ON)。定義 DRV8162L 的過流跳變電平時需要 RDS(ON)。
綜合這些考慮因素,對所選 FET 進行了計算,結果如 表 2-1 所示。此設計采用兩個并聯 FET 來實現低 RDS(ON) 并支持高電流輸出。該計算是利用歐姆定律完成的。
| 參數 | NTMTSC1D6N10 | 2 × NTMTSC1D6N10 | ||
|---|---|---|---|---|
| ID | 267A | 534A | ||
| IDM | 900A | 1800A | ||
| QG | 106nC | 212nC | ||
| 結溫 | 25°C | 125°C | 25°C | 125°C |
| RDS(ON) VGS = 10V 時 |
1.42m? | 2.50m? | 0.71m? | 0.88m? |
| TRIP LEVEL1-0:0.15V |
106A |
60A |
211A |
120A |
|
TRIP LEVEL1-1:0.2V |
141A |
80A |
282A |
160A |
使用快速開關 FET 時,每個半橋都可能需要 RC 緩沖器網絡來抑制電路振鈴。盡管測試用例不需要該緩沖電路,但該設計為每個半橋保留一個 RC 緩沖電路作為測試和調試選項。