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ZHCUAP3A january 2023 – july 2023 TPSF12C3 , TPSF12C3-Q1

2.4 EVM 性能驗(yàn)證

使用適當(dāng)?shù)臋z測(cè)電容器、注入電容器和接地連接將 EVM 連接到濾波器板。
在 J1 的 VDD 和 GND 端子之間施加 8V 至 16V（標(biāo)稱 12V，紋波電壓峰峰值小于 20mV）的 VDD 輔助電源電壓。
測(cè)量 TPSF12C3 的 INJ 引腳（引腳 13）相對(duì)于 GND 的電壓；它應(yīng)該是 V_VDD/2 的直流電壓，并且沒有指示不穩(wěn)定的交流擾動(dòng)。檢查 V_VDD = 12V 時(shí) VDD 電流消耗是否大概為 12mA。如果 INJ 引腳電壓振蕩，請(qǐng)修改 EVM 上的阻尼網(wǎng)絡(luò)元件以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定性。
用戶必須在連接到高壓功率級(jí)之前執(zhí)行低壓測(cè)試。要提供 CM 激勵(lì)，請(qǐng)從函數(shù)發(fā)生器連接 5V 峰峰值方波源，如圖 3-4 所示。將信號(hào)頻率設(shè)置為功率級(jí)的開關(guān)頻率，并選擇可產(chǎn)生所有頻譜諧波的占空比（除此之外：50% 的占空比可消除偶次諧波，33.3% 的占空比可消除三次諧波，依此類推）。與信號(hào)源串聯(lián)的 1nF 電容器將模擬實(shí)際的 CM 噪聲源阻抗。
- 使用 CM 激勵(lì)源，驗(yàn)證 TPSF12C3 INJ 引腳的動(dòng)態(tài)電壓范圍。確保 INJ 引腳在相對(duì)于 GND 的 2.5V 至 V_VDD – 2V 電壓窗口中運(yùn)行。
在每條輸入電源線上連接一個(gè) LISN，并在禁用 AEF 的情況下測(cè)量 EMI（EN 連接至 GND），以對(duì)現(xiàn)有的無源濾波器進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試。禁用 AEF 后，通過將 J1 上的 INJ 端子連接到 GND，將注入電容器的低壓（底部）端子短接至 GND。這將模擬等效無源濾波器設(shè)計(jì)中的 Y 電容器連接。
消除注入電容器上的下拉短路，并通過允許 EN 懸空至高電平來啟用 AEF 電路。重復(fù) EMI 測(cè)量，從而量化與 AEF 相關(guān)的 EMI 降低量。
以類似的方式，使用網(wǎng)絡(luò)分析器對(duì)濾波器插入損耗 或衰減性能進(jìn)行比較。要使用 50Ω 源阻抗和負(fù)載阻抗進(jìn)行真正的插入損耗測(cè)量，請(qǐng)將 LISN 替換為從電源線連接到 GND 的 50Ω 負(fù)載。
使用高壓安全防護(hù)措施，連接開關(guān)功率級(jí)，如圖 3-3 所示。打開穩(wěn)壓器，與步驟 4 類似，確認(rèn) IC 的 INJ 引腳電壓沒有被削波。要增大 INJ 電壓的動(dòng)態(tài)范圍，請(qǐng)?jiān)龃笠韵乱豁?xiàng)或多項(xiàng)：
- 穩(wěn)壓器側(cè) Y 電容，C_Y1、C_Y2、C_Y3 和 C_Y4
- 注入電容 C_INJ
- VDD 電源電壓 V_VDD
在啟用和禁用 AEF 的情況下測(cè)量 EMI，與步驟 5 和 6 中所述的過程類似。
關(guān)斷穩(wěn)壓器。等待所有高壓電容器完全放電。