以下是優化 AEF 電路運行的一些注意事項和最佳實踐：
- 如果啟用 AEF 的 EMI 測量未按預期執行，則應在穩壓器開關期間探測 TPSF12C3 INJ 引腳電壓。確認 INJ 電壓在正電源軌或負電源軌附近沒有被削波，如節 2.4的步驟 4 所述。
- 如果 INJ 電壓被削波，則應增大穩壓器側 Y 電容和/或注入電容。然后使用 TPSF12C3 快速入門計算器或通過仿真重新檢查環路穩定性。
- 金屬機箱結構是總體濾波器實現的關鍵部分。濾波器 PCB 通常使用多個螺釘附件安裝到機箱結構上，機箱用于連接濾波器 PCB 上的各種 GND 節點.這些節點并未明確地與 PCB 覆銅區連接，而是依靠機箱來完成電氣連接。因此，機箱將成為 CM 噪聲電流的最低阻抗返回路徑。
- 在測試包含機箱的電源系統時（如圖 3-3 所示），CM 噪聲可以容性耦合到 EMI 測量設置的參考接地平面，從而繞過與該接地平面不密切相關的濾波器電路。在這種情況下，TI 建議將濾波器 EVM 的 GND 平面直接綁定到該設置的接地平面。這還有助于更大限度地減小與 AEF 電路的 GND 連接中的寄生電感。然后，從功率級發出的 CM 噪聲電流通過 Y 電容器（有源和無源）的低分流阻抗進行再循環，從而防止噪聲到達 LISN。
- 基于有效 Y 電容的放大結果，AEF 可減小 CM 扼流電感，同時保持相同的 LC 轉角頻率和 CM 衰減特性。但是，具有更低 CM 電感和更小尺寸的扼流圈通常具有更低的漏電感，這是導致 DM 與 X 電容器一起衰減的原因。
- 如果在使用較小的 CM 扼流圈時會顯著降低 DM 電感，則應增大 X 電容或添加一個小型分立式電感器以獲得足夠的 DM 衰減。否則，高 DM 噪聲分量（相對于 CM 分量）可能會主導總噪聲測量，從而掩蓋 AEF 對 CM 噪聲降低的影響。
- 檢測和注入電容的典型值分別為 680pF 和 22nF。根據目標應用中的最終實現，EVM 上安裝的默認阻尼和補償元件值可能需要用戶進行適當修改，才能實現可接受的環路穩定性。鐵氧體扼流圈本質上比納米晶類型更難以穩定。