ZHCU886B October 2020 – March 2022
PRODUCTION DATA
3 LMG342XEVM-04X 原理圖
圖 3-1 LMG342XEVM-04X 原理圖以下是使用 LMG342x 進(jìn)行設(shè)計時須遵循的一些指導(dǎo)原則。
ISO77xx 系列提供出色的共模瞬態(tài)抗擾能力。強(qiáng)烈建議使用 ISO77xxF 系列，在載波信號受共模噪聲影響的情況下，其默認(rèn)輸出為低電平，這有助于避免 PWM 信號的任何穿透。建議在 FAULT 信號和 OC 信號的隔離器輸出上使用 RC 濾波器，以減少 CMTI 噪聲。建議在 RDRV 電阻器（R5 和 R14）上并聯(lián)一個100 pF 電容器，以減輕與壓擺率設(shè)置電路耦合的高頻噪聲。
可以通過改變 RDRV 引腳上的電阻器連接來調(diào)整 GaN 器件的壓擺率。在非常高的壓擺率下進(jìn)行操作（例如連接到 GND 的 RDRV）時，LDO5V 引腳可能會因地面反彈而產(chǎn)生過應(yīng)力。在這種情況下，建議移除靠近 LDO5V（C2 和 C12）的電容器，并在該引腳和數(shù)字隔離器的 VCC 之間添加一個 10Ω（R4 和 R11）的小電阻。這有助于減輕 LDO5V 上的過電壓應(yīng)力。
對于自舉電源操作，建議使用 SiC 肖特基二極管 (GB01SLT06-214)。對于高頻和低占空比操作，建議使用 2Ω 的自舉電阻。此外，熱管理優(yōu)先選擇帶有銅通孔的大尺寸 SMD 電阻器。需要將 16V 齊納二極管靠近高端 Vdd 引腳放置。當(dāng)使用自舉電阻時，需要在啟動期間控制低壓側(cè) GaN 器件的壓擺率。當(dāng)高壓側(cè)電源充滿電時，低壓側(cè)器件可以在正常操作中切換回更高的壓擺率。這是使用 Q1 和 R18 實(shí)現(xiàn)的。100 kΩ 的 R14 用于控制壓擺率。