ZHCU886B October 2020 – March 2022
PRODUCTION DATA
2.1.4 散熱器
安裝散熱器的目的是幫助 LMG342XR0X0 散熱。外露的銅墊連接到高側和低側器件上的芯片連接焊盤 (DAP)，為散熱器提供了低熱阻抗點。兩個銅墊之間具有高壓電位差，因此需要使用電氣隔離熱界面材料 (TIM)。
為了實現最佳散熱和板級可靠性，在 LMG342xR030 600V 30m? 具有集成驅動器、保護和溫度報告功能的 GaN FET 數據表中推薦了散熱過孔樣式和焊錫膏示例。引腳編號 1、16、17 和 54 為 NC（無連接），用于將 QFN 封裝固定到 PCB 上。必須將這些引腳焊接到 PCB 著陸墊上，該著陸墊必須是非阻焊層限定的焊盤，并且不得與 PCB 上的任何其他金屬進行物理連接。在內部，引腳 1 和 16 與 DRAIN 相連，引腳 17 和 54 與 SOURCE/GND 和散熱焊盤相連。所有焊盤的機械性能都必須為 NSMD，有關焊盤的跟蹤連接建議，請參閱器件數據表。為了提高熱性能，建議使用熱通孔填充導熱墊。必須填充通孔并將其平坦化。
在此子卡設計中，使用了“S05MZZ12-A”散熱器和“GR80A-0H-50GY”（導熱系數為 8W/m·K，厚度為 0.5mm）熱界面材料。更多有關熱性能和不同 TIM 之間比較的信息，請參閱適用于 600V GaN 功率級的 QFN 12x12 封裝的熱性能應用說明。
圖 2-2 EVM 的前視圖
圖 2-3 EVM 的后視圖