使用 TPS74801EVM-177 在的環境溫度 T_A 25°C 下進行了測量。使用 現場測量 LDO 熱阻 中介紹的測試方法，比較了舊 TPS748 設計與新 TPS748 設計。

使用 《現場測量 LDO 的熱阻》 白皮書中所述的以下結至環境熱阻公式：

舊芯片：

新芯片：

最后，熱像儀成像被用于測量舊器件和新器件的外殼溫度。兩個器件均采用 VSON 封裝并放置在 EVM 上。測試條件為 Vout = 1.2V、Vin = 2.2V、Vbias = 2.7V、Iout = 1.5A（例如，功率耗散 =1.5W），在保持此值 30 分鐘后，熱像儀成像如 圖 2-3 和 圖 2-4 所示。測得的舊器件和新器件最大外殼溫度分別為 71°C 和 69°C。

現在使用 半導體和 IC 封裝熱指標 白皮書中所述的公式 8，T_J = T_C +（ψ_JT x 功率）和數據表中提到的 ψ_JT 值，可以計算出 T_J 為舊芯片 72.05°C 和新芯片 75.3°C。