3 總結(jié)

通過對熱阻進行適度更改（舊芯片為 44.2°C/W，采用 JEDEC 標準布局的新芯片為 47.2°C/W），芯片尺寸減小了 72%。使用了 EVM 來捕獲 R_?JA 值，EVM 表示 現(xiàn)場測量 LDO 熱阻 部分所述測試方法的更準確布局。測試方法表明，舊芯片和新芯片的 R_?JA 結(jié)果相似，舊芯片為 17.5°C/W，新芯片為 20.7°C/W。JEDEC 委員會旨在利用 ψ 參數(shù)準確估算電路板熱測量給出的結(jié)溫。熱感圖像是舊和新 TPS748 LDO 捕獲的。使用 ψ_JT 參數(shù)時，舊芯片和新芯片之間的結(jié)溫與 JEDEC 仿真和 EVM 測量值相關(guān)，舊芯片為 72.05°C 和新芯片為 75.3°C。最終，舊新 TPS748 LDO 器件的熱性能相當。