需要一個額外的輸入電容器 C_BYP 作為該器件的旁路電容器以確保穩定性。該電容器是對輸入電容器 C_IN 的補充，連接在 V_IN 和接地之間（請參閱圖 1-2）。旁路電容器和輸入電容器的建議最小值為 4.7μF。不良效果在于，C_BYP 電容器提供了從 V_IN 到 V _OUT 的交流路徑，并在 GND 的基礎上與 C_OUT 一起構建了一個電容分壓器。在將 V_IN 施加到電路的瞬間，電容分壓器會將 V_OUT 上拉至 GND 以上，導致負電源軌發生正預偏置。這也意味著 IC GND 引腳（連接到 V_OUT）也會發生正預偏置，這會將 SW 引腳和 VOS 引腳拉至低于比 IC 接地低 0.3V 以上，導致違反絕對最大額定值。這種情況會損壞器件，因此不建議這樣做。因此，輸出端應安裝一個肖特基二極管 (D1)，如 圖 2-1 所述。需要進行啟動測試，以驗證在施加 V_IN 后，VOS 引腳的驅動電壓不會低于 IC 接地 0.3V 以上。

圖 2-1 具有肖特基二極管的反相降壓/升壓拓撲

通過 C_BYP 的交流路徑也會使線路瞬態響應惡化。如果預計出現強線路瞬變，則會增大輸出電容，以在線路瞬變期間將輸出電壓保持在可接受的水平內。

TPS6284x 可以在沒有旁路電容器和肖特基二極管的情況下運行，但必須注意驗證單個應用中的穩定性并檢查 SW 和 VOS 引腳信號在啟動期間不會違反建議的工作條件。