該器件具有以下四種模式：NORMAL、SLEEP、DEEPSLEEP 和 SHUTDOWN。NORMAL 模式用于在施加大負載時以最高性能和最高功耗運行。SLEEP 模式最適合用于故障風險較低的輕負載情況。DEEPSLEEP 模式專為保持 MCU 上電但幾乎不做其他操作而優化，功耗極低。SHUTDOWN 模式是功耗最低的模式，非常適合用于長期儲存器件。
- NORMAL 模式：所有保護功能均啟用，CFET 和 DFET 都可以開啟，并且提供恒定電壓、電流和溫度測量功能，同時 LDO 已啟用并可編程。
- SLEEP 模式：大多數保護功能均啟用，DFET 開啟但 CFET 關閉，ADC 進行間歇采樣，LDO 仍在運行，并且器件可以通過電流上升、通信、充電器或復位信號退出 SLEEP 模式。
- DEEPSLEEP 模式：大多數電路均關閉，FET 關斷，不進行 ADC 或 CC 采樣，保護功能未啟用，LDO 仍在運行，并且可以通過通信、充電器或復位信號退出該模式。
- SHUTDOWN 模式：除了喚醒檢測器外，所有電路均關閉，不進行測量也不提供保護，LDO 禁用，并且該器件可通過將 TS2 拉至 GND 或連接充電器來退出該模式。