ZHCAE26 May 2024 BQ769142 , BQ76942 , BQ76952 , BQ76972
有兩種通用方法可以縮短柵極關斷時間。
第一種方法如圖 2-1 所示,通過使用二極管 (D4) 為 FET 的柵極提供一條電阻比導通路徑更低的路徑來釋放存儲的電荷,從而提供了一種加速關斷過程的低成本設計。通過改變電阻,可以根據需要增加或減少關斷時間。
圖 2-1 采用單個二極管 (D4) 的第一種加速配置第二種方法如圖 2-2 所示。此電路可以更快地將 PMOS 驅動為低電平,從而為 FET 的電荷提供了從柵極流向 PACK+ 的替代路徑。雖然這種配置更昂貴,但在多個 FET 并聯的情況下,由于能夠獲得更低的電阻,因此它是一個很好的選擇。如果用戶僅使用一個或兩個 FET,第一種方法更具成本效益。
圖 2-2 采用 PMOS 和二極管(D37 和 Q28)的第二種多 FET 應用配置