2 自舉過充

死區時間期間產生的負電壓會帶來一些后果。首先，負電壓會造成損耗，因為低側 FET 必須耗散 VSD 乘以 IL。其次，負電壓會導致自舉電路上出現過充，該電路通常用于為高側 FET 提供偏置。通常，當低側 FET 導通且 HS 節點接近 0V 電流 (Iboot) 時，自舉電容器 (Cboot) 充電，然后電流從 VDD 流過自舉二極管，將 Cboot 電容器充電至 VDD。有關自舉電路的進一步說明，請參閱針對半橋配置的自舉電路選擇。

在死區時間內，Cboot 上的電勢可能會增加到 VDD 加上負電壓，在許多情況下很容易超過 6V 至 7V。這意味著自舉電容器過充至高于 VDD 的電壓。這種類型的過充可用于所有半橋配置，而不僅僅是使用 GaN FET 的配置。然而，GaN FET 的敏感柵極往往只能處理最高 6V 至 8V 的電壓，具體取決于結構。因為 GaN 半橋具有更高的負 HS 電壓并且對過充的敏感性更高，因此自舉過充預防至關重要。LM5113-Q1、LMG1205 和 LMG1210 等一些半橋柵極驅動器具有集成式自舉過充預防電路。