ZHCADD2 November 2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210
縮短死區持續時間可以減少 Qin。在不改變 Qout 的情況下，較低的 Qin 會導致 Cboot 上的穩態電壓較低。縮短死區時間通常有利于減少過充和死區時間損耗。然而，縮短死區時間會增加擊穿的風險，并且負載和溫度條件需要裕度。此外，許多控制器不具備對時序進行可靠的 1ns 調整的精度。
鑒于此，精確的死區時間控制對于 GaN 半橋驅動器中的自舉過充預防至關重要。除了前面討論的內置自舉過充預防電路之外，LMG1210 還具有納秒級和可調節的死區時間控制功能。如需更多信息，請參閱通過 LMG1210 GaN 驅動器的死區時間控制優化效率 應用手冊。