2 選擇器件

通常，對于汽車高壓輸入反激式電源設計，應當在盡可能降低成本的基礎上優化所有元件額定值，而又不能違背爬電距離和間隙規則。例如，使用一個較大的大容量輸入電容器也許可行，但使用多個較小的電容器可能更便宜或尺寸更小。大型元件也可能具有較大的寄生電容，這會使符合 EMI 法規要求變得更加困難。

許多因素都會影響變壓器和 EMI 濾波電感器等磁性元件的設計和選擇。磁性元件對于隔離式拓撲尤其重要，因為它們在確定整體系統性能方面發揮著重要作用。首先，這些元件必須設計為能夠以足夠的裕度適應峰值和均方根電流，并且符合汽車產品的隔離要求。然后，必須考慮形狀和磁芯類型以優化磁通密度。最后，必須選擇繞組和端接結構。磁性元件設計是一個復雜的迭代過程。通常建議與可提供自定義解決方案的外部供應商合作。

在選擇功率器件時，必須考慮最大輸入電壓。對于 400V 電池系統，可以使用硅或氮化鎵 FET。對于 800V 電池系統，碳化硅 (SiC) MOSFET 由于具有快速開關和高電壓額定值（通常為 900V 或更高），變得越來越受歡迎。在任一種情況下，具有適當的驅動強度都可確保整個壽命期的可靠性。

反激式控制器中集成的硅 MOSFET 驅動器可能無法直接驅動 SiC MOSFET。在這些情況下，建議使用外部柵極驅動器電路或 UCC27531A-Q1 等低側柵極驅動器。

必須仔細考慮反激式控制器的 UVLO 關斷閾值。對于 SiC 應用，建議使用大于 8V 的 UVLO 關斷電壓，來確保 SiC MOSFET 的壽命可靠性。低于 8V 的驅動電壓會導致功率器件在飽和區域運行，從而導致高導通損耗和發熱。但是，硅 MOSFET 通常支持低于 8V 的驅動電壓。