MOSFET 選型側(cè)重于功率耗散和額定電壓。MOSFET 的功率耗散包括兩個不同部分：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗取決于 MOSFET 的 R_DS(on) 參數(shù)。N 溝道 MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷時，開關(guān)損耗發(fā)生在開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時間和下降時間期間。上升時間和下降時間期間，MOSFET 的溝道中存在電流和電壓。開關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時間和下降時間越長，開關(guān)損耗越高。選擇小寄生電容 MOSFET 可降低開關(guān)損耗。理想情況下，導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗應(yīng)大致相等。

總柵極電荷 (Q_{G_total}) 不能大到足以使內(nèi)部 VCC 穩(wěn)壓器置于電流限制狀態(tài)。對于給定 MOSFET，應(yīng)知其 Q_{G_total}。Equation14 中規(guī)定了 MOSFET 的最大 Q_{G_total}。

Equation14.

由于開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的電壓尖峰，MOSFET 的漏源擊穿電壓額定值應(yīng)高于負(fù)載電壓，并留有一定的裕量。擊穿電壓額定值應(yīng)比 V_LOAD 與 V_F 之和至少高 10V。V_F 是整流二極管的正向電壓。

在該設(shè)計(jì)中，所選 60V MOSFET 具有低 R_DS(on)、低閾值電壓。所選 60V 額定電壓可處理的最大輸入電壓瞬態(tài)為 42V。