4 效率和開關(guān)性能

例如，如果柵極電荷為 156nC 的 MOSFET 需要在 20ns 內(nèi)導(dǎo)通和關(guān)斷，則柵極驅(qū)動器需要提供 7.8A 的峰值拉電流和灌電流，如Equation1 所示。

UCC27614 即使在 150C 的結(jié)溫下也能提供 10A 電流，如圖 4-1 所示。整個(gè)溫度范圍內(nèi)的高驅(qū)動強(qiáng)度使驅(qū)動器 IC 能夠始終如一地提供快速穩(wěn)定的上升/下降時(shí)間，從而確保無論結(jié)溫如何，F(xiàn)ET 上的損耗都非常低。

由于這些應(yīng)用中的功率 MOSFET 在高外殼溫度下運(yùn)行，因此柵極驅(qū)動器需要在任何溫度下提供足夠的驅(qū)動電流，以便更大限度地縮短開關(guān) MOSFET 的上升和下降時(shí)間。更快的上升和下降時(shí)間使得 MOSFET 能夠在更短的時(shí)間內(nèi)處于歐姆區(qū)域，并更快地進(jìn)入飽和區(qū)域，從而減少晶體管中的電阻損耗。此外，還應(yīng)該更大限度地減少柵極驅(qū)動器的傳播延遲，以便優(yōu)化死區(qū)時(shí)間，從而降低損耗和提高效率。