4 浪涌測(cè)試結(jié)果

已對(duì) TPS272C45C 進(jìn)行了浪涌測(cè)試，以確保器件的穩(wěn)健性。圖 4-1 中展示的浪涌波形遵循 IEC61000-4-5 標(biāo)準(zhǔn)，電壓為 1kV，阻抗為 42Ω。42Ω 阻抗代表所有其他線路與 GND 之間的阻抗，參見適用于 TI 保護(hù)器件的 TI IEC 61000-4-x 測(cè)試 應(yīng)用報(bào)告。

圖 4-1 阻性負(fù)載的浪涌波形

VS 和 VOUT 都進(jìn)行了正負(fù)浪涌，兩種浪涌測(cè)試設(shè)置如圖 4-2 和圖 4-3 所示。

首先，正浪涌施加在 24V VS 上，兩個(gè)通道的 EN 為高電平，輸出端連接一個(gè) 12Ω 負(fù)載。波形如圖 4-4 所示。VS 在浪涌事件期間被 VS 對(duì) GND TVS 二極管 D2 鉗位，它將吸收大部分浪涌能量。浪涌后器件恢復(fù)正常運(yùn)行。

圖 4-4 VS 上施加正浪涌的波形

第二個(gè)測(cè)試涉及使用相同設(shè)置對(duì) VS 施加負(fù)浪涌。生成的波形如圖 4-5 所示。在本例中，VS 到 GND 二極管 D2 導(dǎo)通，并在負(fù)浪涌期間將 VS 保持在地電平。器件按預(yù)期運(yùn)行，并在 VS 恢復(fù)后繼續(xù)運(yùn)行。

圖 4-5 VS 上施加負(fù)浪涌的波形

現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖 4-3 所示的測(cè)試設(shè)置，在 VOUT 處施加浪涌，輸入為 24V，EN 為高電平，12Ω 連接到負(fù)載。圖 4-6 顯示了施加正浪涌時(shí)產(chǎn)生的波形。在浪涌期間，體二極管將導(dǎo)通，從 VS 到 GND 的二極管將鉗制 VS 電壓。隨著電流在去耦電感中持續(xù)流動(dòng)，Vs 處的電壓將在短時(shí)間內(nèi)保持高電平，并緩慢恢復(fù)。

圖 4-6 在 EN 為高電平時(shí)在 VOUT 施加正浪涌的波形

圖 4-7 顯示了對(duì) VOUT 施加負(fù)浪涌時(shí)產(chǎn)生的波形。VS 到 GND TVS 二極管導(dǎo)通，將 VS 帶到 GND 電平。浪涌脈沖結(jié)束后，電源和 FET 操作恢復(fù)正常運(yùn)行。

圖 4-7 在 EN 為高電平時(shí)在 VOUT 施加負(fù)浪涌的波形

當(dāng) EN 為低電平時(shí)，在 VOUT 處執(zhí)行相同的浪涌測(cè)試。在 VOUT 出現(xiàn)正浪涌時(shí)，圖 4-8 顯示了從 VOUT 到 VS 的 TVS 二極管正在導(dǎo)通，然后 VS 電壓被另一個(gè) TVS 二極管鉗位。浪涌事件后器件保持關(guān)閉狀態(tài)。

圖 4-8 在 EN 為低電平時(shí)在 VOUT 施加正浪涌的波形

當(dāng)負(fù)浪涌施加在 VOUT 且 EN 為低電平時(shí)，圖 4-9 顯示了 VS 至 GND 二極管導(dǎo)通且 VS 至 VOUT 二極管鉗位的行為。器件在浪涌脈沖后按預(yù)期保持關(guān)閉狀態(tài)。

圖 4-9 在 EN 為低電平時(shí)在 VOUT 施加負(fù)浪涌的波形