ZHCABM8D June 2011 – March 2022 UCC28950 , UCC28950-Q1 , UCC28951 , UCC28951-Q1
需要根據最大漏源電壓 (VdsQA_max) 和峰值漏源電流 (IdsQA_max) 選擇用于驅動半橋的 FET (QA..QD)。
然后，需要根據效率目標和 FET 功耗 (PQA) 選擇 FET，這是一個試錯過程。公式 32 至 38 用于根據 FET 數據表參數估算 PQA。為實現我們的效率目標，我們從 Infineon 選擇了一款 20A、650V 的 CoolMOS FET，其 PQA 估計為 2.1W，可讓我們達到效率目標。
在本設計中，為滿足效率和電壓要求，我們為 QA..QD 選擇了 Infineon 的 20A、650V CoolMOS FET。
FET 漏源導通電阻：
FET 指定的 COSS：
用于測量 COSS 的漏源電壓 (VdsQA)，數據表參數：
計算平均 Coss [2]：
QA FET 柵極電荷：
施加到 FET 柵極，以激活 FET 的電壓：
根據 Rds(on)QA 和柵極電荷 (QAg) 計算 QA 損耗 (PQA)：
重新計算功率預算：