除了電壓應(yīng)力 (VIN + VOR)，關(guān)斷時(shí)還存在較大的電壓尖峰，這是由一次繞組的漏電感中存儲(chǔ)的能量造成的。基本而言，事實(shí)是這樣的，一個(gè)繞組的磁通不會(huì) 100% 耦合到其他繞組，因此它仍然是電路中的漏電感。減小漏電系數(shù)的一種方法是改善變壓器繞組結(jié)構(gòu)，例如交錯(cuò)繞組。圖 1-2 是在初級(jí)側(cè)添加相等的少量漏電感后的仿真結(jié)果。

作為仿真結(jié)果，漏電感中的存儲(chǔ)能量在關(guān)斷瞬變時(shí)立即變?yōu)殡妷杭夥澹缓笾饕c節(jié)點(diǎn)上的電容諧振。通常，它在幾百 MHz 以下諧振，因此可能導(dǎo)致系統(tǒng)中出現(xiàn) EMI 問題，需要采取其他緩沖措施。而且，如果電壓峰值高于器件的 AMR（絕對(duì)最大額定值），無(wú)論是在設(shè)計(jì)階段還是在現(xiàn)場(chǎng)，都會(huì)導(dǎo)致 IC 或 FET 損壞。