LM60440 器件是業(yè)界超小的 4A、36V 轉(zhuǎn)換器，封裝尺寸為 3mm × 2mm。該封裝尺寸可通過 QFN 封裝技術(shù)和 PowerPad 實(shí)現(xiàn)。PowerPad 是 IC 中間的接地連接，用于改善散熱（圖 2-7）。

對(duì)稱 QFN 引腳排列簡(jiǎn)化了布局，特別是用于實(shí)現(xiàn)經(jīng)過優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)。圖 4-1 展示了 LM60440AQEVM 布局。藍(lán)色輪廓代表 LM60440 IC 的位置。三個(gè)散熱通孔位于 IC 下方，從 PowerPad 到接地平面。然后，PowerPad 通過 AGND 引腳（引腳 6）連接到更大的接地平面。此外，還使用頂角接地引腳從 IC 中散熱。

圖 4-1 LM60440AQEVM 布局

圖 4-2 展示了 LM60440AQEVM 的熱像圖。在 12V 輸入、5V 輸出、4A 負(fù)載下，IC 溫度上升約 60?C。LM60440 和 LM60430 器件的最高運(yùn)行結(jié)溫為 150?C。在 V_IN = 12V、V_OUT = 5V、I_OUT = 4A 的運(yùn)行條件下，LM60440 器件在 87?C 時(shí)的效率將為 89%（圖 4-3）。

圖 4-2 LM60440AQEVM 熱像圖（V_IN = 12V，V_OUT = 5V，I_OUT = 4A）

圖 4-3 LM60440 效率與輸出電流間的關(guān)系（V_IN = 12V，V_OUT = 5V，I_OUT = 4A）

總功率耗散為 2.2W。使用的電感器是 XAL6060-682MEB，其 DCR 為 20.8mΩ。為了準(zhǔn)確計(jì)算 IC 的溫度特性，必須按照Equation1 和Equation2 單獨(dú)計(jì)算 IC 的功率耗散。

IC 損耗為 1.87W。然后 PCB 的特征 θ_JA 可以按照Equation3 進(jìn)行計(jì)算。

LMR33630 和 LM60440 器件均采用 3mm × 2mm 封裝。為了便于比較，針對(duì) LMR33630 器件完成了類似的過程，圖 4-4 顯示了熱像圖。

圖 4-4 LMR33630 熱像圖

經(jīng)發(fā)現(xiàn) LMR33630 θ_JA 為 38.6?C/W。與 FCOL 封裝技術(shù)相比，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的散熱性能提高了大約 13%。圖 4-5 顯示了 LM60440 和 LM60430 最高負(fù)載電流與環(huán)境溫度間的關(guān)系曲線。LM60440 器件能夠在 85?C 下以滿載電流運(yùn)行，而 LM60430 器件能夠在 100?C 下以滿載電流運(yùn)行。

圖 4-5 最高電流與環(huán)境溫度間的關(guān)系