ZHCAAB5 September 2020 TPS55288 , TPS55288-Q1 , TPS552882 , TPS552882-Q1
通過盡量減少關(guān)鍵開關(guān)環(huán)路和在關(guān)鍵開關(guān)環(huán)路下添加接地平面,可提高 EMI 性能。如果測試結(jié)果仍然超出限值,則應(yīng)考慮采用其他解決方案,例如降低開關(guān)速度、在電源電路上增加金屬屏蔽層。但是,降低開關(guān)速度會犧牲效率,而增加金屬屏蔽層會增加成本并使系統(tǒng)組裝更加復(fù)雜。
對稱放置去耦電容器既能做到進(jìn)一步提高 EMI 性能,又不會犧牲效率或增加成本。圖 2-6 和圖 2-7 所示為這種對稱放置概念的原理圖和相關(guān) PCB 布局。
圖 2-6 TPS55288 降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的對稱 PCB 布局圖 2-7 所示為對稱放置和不對稱放置元件的輻射 EMI 結(jié)果。對稱放置有助于將 200MHz - 600MHz 高頻范圍內(nèi)的輻射 EMI 降低 6dBuV/m 以上。
圖 2-7 對稱放置和不對稱放置元件的輻射 EMI 比較