UCC34141-Q1 集成隔離式電源解決方案可簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少使用的電路板面積。請(qǐng)遵循這些指南進(jìn)行正確的 PCB 布局，以便實(shí)現(xiàn)理想性能。為了實(shí)現(xiàn)熱性能良好的 PCB 設(shè)計(jì)，推薦在外層使用 2 盎司銅的至少 4 層 PCB 層堆疊。

1. VIN 引腳和 GNDP 引腳之間的輸入電容器：
   1. 將 0.1μF 高頻旁路電容器 (C3) 盡可能靠近引腳 3、4 (VIN) 和引腳 5–8 (GNDP) 放置，并與 IC 位于 PCB 的同一側(cè)。0402 陶瓷 SMD 或更小尺寸是實(shí)現(xiàn)最佳布局所需的尺寸。10MHz 至 30MHz 范圍內(nèi)的自諧振頻率非常適合為內(nèi)部隔離式轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率噪聲提供低阻抗去耦。請(qǐng)勿在旁路電容器和 IC 引腳之間放置任何過(guò)孔，以強(qiáng)制高頻電流通過(guò)電容器。
   2. 將大容量 VIN 電容器 (C2) 盡可能靠近 0.1μF 高頻旁路電容器 (C3) 并與之并聯(lián)，且與 IC 位于 PCB 的同一側(cè)。
2. VDD 引腳和 COM 引腳之間的輸出電容器：
   1. 將 0.1μF 高頻旁路電容器 (C5) 盡可能靠近引腳 12 (VDD) 和引腳 10、11 (COM) 放置，并與 IC 位于 PCB 的同一側(cè)。0402 陶瓷 SMD 或更小尺寸是實(shí)現(xiàn)最佳布局所需的尺寸。10MHz 至 30MHz 范圍內(nèi)的自諧振頻率非常適合為內(nèi)部隔離式轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率噪聲提供低阻抗去耦。請(qǐng)勿在旁路電容器和 IC 引腳之間放置任何過(guò)孔，以強(qiáng)制高頻電流通過(guò)電容器。
   2. 將大容量 VDD-COM 電容器 (C8) 盡可能靠近 0.1μF 高頻旁路電容器 (C5) 并與之并聯(lián)，且與 IC 位于 PCB 的同一側(cè)。
3. VEE 引腳和 COM 引腳之間的輸出電容器：
   1. 將 2.2μF 高頻率旁路電容器盡可能靠近 VEE 和 COM 引腳放置。3MHz 至 4MHz 范圍內(nèi)的自諧振頻率非常適合為選擇 3.3uH 電感器的降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率噪聲提供低阻抗去耦。可以將電容器放置在 PCB 的另一側(cè)并使用過(guò)孔進(jìn)行連接，以減少內(nèi)部低側(cè) MOSFET 和電容器之間的開(kāi)關(guān)環(huán)路。此外，將電容器放置在另一側(cè)也會(huì)簡(jiǎn)化 VDD 引腳和 COM 引腳之間去耦電容器的放置。

4. 柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電容器：C_{VDD_GD} 和 C_{VEE_GD} 是 Excel 計(jì)算器工具中引用的參考位號(hào)。C_{VDD_GD} 是 VDD-COM 之間的電容器，C_{VEE_GD} 是 COM-VEE 之間的電容器。C_{VDD_GD} 和 C_{VEE_GD} 是柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 所需的電容器。

   1. C_{VDD_GD} 和 C_{VEE_GD} 應(yīng) 放置在柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 旁邊，以實(shí)現(xiàn)出色的去耦和柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)性能。

5. 反饋：

   1. COMA 應(yīng)通過(guò)所有 PCB 層與 COM 平面隔離。使用一個(gè)過(guò)孔直接連接到 FBVDD 引腳的低側(cè)電阻器和濾波電容器，與 FBVEE 引腳的低側(cè)濾波電容器相同。

   2. 將 R_FBVDD 反饋電阻器（R6 和 R7）和去耦陶瓷電容器 (C6) 靠近 IC 放置。

   3. 頂層反饋電阻器應(yīng)放置在低側(cè)電阻器旁邊，兩個(gè)電阻器之間具有較短的直接連接，并通過(guò)單一連接點(diǎn)連接至 FBVDD 引腳。用于檢測(cè)穩(wěn)壓軌 (VDD-COM) 的頂部連接應(yīng)進(jìn)行布線并連接到柵極驅(qū)動(dòng)器引腳附近的 VDD 偏置電容器遠(yuǎn)程位置，以便獲得出色的精度和瞬態(tài)響應(yīng)。

   4. VEE 反饋電阻器 (R5) 應(yīng)與去耦合陶瓷電容器 (C4) 一起放置在 FBVEE（引腳 15）旁邊，；而 用于檢測(cè)穩(wěn)壓軌 (COM-VEE) 的連接應(yīng)從柵極驅(qū)動(dòng)器引腳附近位置較遠(yuǎn)的 COM 偏置電容器進(jìn)行布線和連接，以便獲得出色的精度和瞬態(tài)響應(yīng)。

   5. 使用雙路輸出模式時(shí)，必須填充降壓/升壓電感器和 2.2uF 去耦陶瓷電容器。它們可以放置在 IC 的另一側(cè)或與 IC 位于同一層。

   6. 圖 8-5 所示為布局示例。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱用戶指南。

6. 散熱通孔：UCC34141-Q1 內(nèi)部變壓器直接連接到引線框。因此，如以下步驟所述，為 PCB 設(shè)計(jì)提供足夠的空間和適當(dāng)?shù)纳嶂陵P(guān)重要。

   1. TI 建議通過(guò)多個(gè)通孔將 VIN、GNDP、VDD 和 COM 引腳連接到內(nèi)部接地平面或電源平面。或者，使連接到這些引腳的多邊形盡可能寬。

   2. 使用多個(gè)散熱過(guò)孔將 PCB 頂層 GNDP 銅連接到底部 GNDP 銅。如果可能，建議在外部頂部和底部 PCB 層上使用 2 盎司銅。

   3. 使用多個(gè)散熱過(guò)孔將 PCB 頂層 VEE 銅連接到底部 VEE 銅。如果可能，建議在外部頂部和底部 PCB 層上使用 2 盎司銅。

   4. 連接頂部和底部銅的散熱過(guò)孔也可以連接到內(nèi)部銅層，以進(jìn)一步改善散熱效果。

   5. 散熱過(guò)孔類似于下圖所示，但應(yīng)在覆銅區(qū)允許的范圍內(nèi)盡可能多地使用散熱過(guò)孔。TI 建議使用直徑為 30mil、孔尺寸為 12mil 的散熱過(guò)孔。

   6. 圖 8-6 所示為布局示例。

7. 爬電間隙：避免在 UCC34141-Q1 下連接銅線，以保持?jǐn)?shù)據(jù)表中指明的完整爬電距離、間隙和電壓隔離額定值。在整個(gè)定義的隔離柵中，保持以紅色突出顯示的間隙寬度。基礎(chǔ)型隔離的排除間隙可以比增強(qiáng)型隔離要求 (8.2mm) 小 50%。使用 8.2mm 可提供額外的裕度。圖 8-7 所示為布局示例。

8. 柵極驅(qū)動(dòng)器電容器和反饋布線：

   1. VDD-COM 和 VEE-COM 柵極驅(qū)動(dòng)電容器需要盡可能靠近相關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器引腳放置。
   2. 為了更好地調(diào)節(jié)電壓，VEE (VEE FB) 和 VDD (VDD FB) 的反饋布線應(yīng)盡可能直接，以便直接在柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 附近的 VDD 和 VEE 電容器處檢測(cè)電壓反饋。