在高電流快速開關(guān)電路中，適當(dāng)?shù)?PCB 布局對(duì)于器件正常工作和設(shè)計(jì)穩(wěn)健性而言極其重要。UCC27624-Q1 柵極驅(qū)動(dòng)器具有小傳播延遲和強(qiáng)大的輸出級(jí)，能夠在功率 MOSFET 的柵極上提供較大的電流峰值以及很短的上升和下降時(shí)間，從而有助于實(shí)現(xiàn)非常快的電壓瞬變。如果布線長(zhǎng)度和阻抗未控制得當(dāng)，那么極高的 di/dt 會(huì)導(dǎo)致無(wú)法接受的振鈴。在使用這些高速驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，建議遵循以下電路布局準(zhǔn)則。
- 驅(qū)動(dòng)器 IC 應(yīng)盡量靠近功率器件放置，從而更大限度地縮短驅(qū)動(dòng)器 IC 輸出引腳與開關(guān)功率器件的柵極之間的高電流布線長(zhǎng)度。
- 將 VDD 和 GND 之間的 VDD 旁路電容放置在盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器 IC 且布線長(zhǎng)度最短的位置，以提高噪聲濾波效果。這些電容器支持在功率 MOSFET 導(dǎo)通期間通過(guò) VDD 引腳消耗高峰值電流。強(qiáng)烈建議使用低電感表面貼裝器件 (SMD) 元件（如額定電壓為 50V 的 X7R 片式電容器）。
- 必須盡可能縮短導(dǎo)通和關(guān)斷電流環(huán)路路徑（驅(qū)動(dòng)器器件、功率 MOSFET 和 VDD 旁路電容器），以便將雜散電感保持在最低水平。這些環(huán)路中存在兩個(gè)實(shí)例會(huì)建立高 dI/dt，即導(dǎo)通和關(guān)斷瞬態(tài)期間，這會(huì)在驅(qū)動(dòng)器器件的輸出引腳和功率 MOSFET 的柵極上產(chǎn)生顯著的電壓瞬態(tài)。
- 盡可能使源布線和返回布線保持平行，從而利用磁通抵消。
- 將電源布線與信號(hào)布線（如輸出和輸入信號(hào)）分開。
- 為了更大限度地減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)瞬態(tài)和振鈴，可能需要在功率器件上添加一些柵極電阻和/或緩沖器。這些措施也可能降低 EMI。
- 星形點(diǎn)接地是一種盡可能地減少噪聲從一個(gè)電流環(huán)路耦合到另一個(gè)電流環(huán)路的好方法。驅(qū)動(dòng)器的 GND 在一個(gè)點(diǎn)連接至其他電路節(jié)點(diǎn)（如功率 MOSFET 源極、PWM 控制器接地端等）。必須盡可能縮短連接路徑，以降低電感；并盡量拓寬連接路徑，以降低電阻。
- 使用接地平面來(lái)提供噪聲屏蔽。驅(qū)動(dòng)器 IC 的 OUT 引腳上的快速上升和下降時(shí)間可能會(huì)破壞驅(qū)動(dòng)器 IC 的輸入信號(hào)。接地平面不得是任何高電流（功率級(jí)）環(huán)路的傳導(dǎo)路徑。相反，必須使用一根跡線將接地平面連接到星形點(diǎn)，從而建立接地電勢(shì)。除噪聲屏蔽之外，接地平面還可以幫助降低功率耗散
- 在現(xiàn)有設(shè)計(jì)或新設(shè)計(jì)中將任何柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 替換為 UCC27624-Q1 器件時(shí)，尤其是它們不具有相同的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度時(shí)，外部柵極電阻器和并聯(lián)二極管電阻器組合可能會(huì)非常有用。