在高電流快速開關(guān)電路中，適當(dāng)?shù)?PCB 布局對(duì)于器件正常工作和設(shè)計(jì)穩(wěn)健性而言極其重要。UCC27524A-Q1 柵極驅(qū)動(dòng)器具有短傳播延遲和強(qiáng)大的輸出級(jí)，能夠在功率 MOSFET 的柵極上提供較大的電流峰值以及很短的上升和下降時(shí)間，從而有助于電壓以極快的速度進(jìn)行轉(zhuǎn)換。在較高的 VDD 電壓下，峰值電流能力甚至更高（VDD = 12V 時(shí)，峰值電流為 5A）。如果布線長(zhǎng)度和阻抗未控制得當(dāng)，那么極高的 di/dt 會(huì)導(dǎo)致無法接受的振鈴。在使用這些高速驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，強(qiáng)烈建議遵循以下電路布局準(zhǔn)則。
- 驅(qū)動(dòng)器器件應(yīng)盡量靠近功率器件放置，從而更大限度地縮短輸出引腳與功率器件的柵極之間的高電流布線長(zhǎng)度。
- 將 VDD 和 GND 之間的 VDD 旁路電容器放置在盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器且布線長(zhǎng)度盡可能短的位置，以提高噪聲濾波效果。這些電容器支持在功率 MOSFET 導(dǎo)通期間通過 VDD 消耗的高峰值電流。強(qiáng)烈建議使用低電感表面貼裝器件 (SMD) 元件（如片式電阻和片式電容器）。
- 必須盡可能縮短導(dǎo)通和關(guān)斷電流環(huán)路路徑（驅(qū)動(dòng)器器件、功率 MOSFET 和 VDD 旁路電容器），以便將雜散電感保持在最小值。在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬態(tài)期間，這些回路中會(huì)出現(xiàn)兩次高 di/dt，從而在驅(qū)動(dòng)器器件的輸出引腳和電源 MOSFET 的柵極上產(chǎn)生顯著的電壓瞬態(tài)。
- 盡可能使源布線和返回布線保持平行，從而利用磁通抵消。
- 將電源布線與信號(hào)布線（如輸出和輸入信號(hào)）分開。
- 星形點(diǎn)接地是一種盡可能地減少噪聲從一個(gè)電流環(huán)路耦合到另一個(gè)電流環(huán)路的好方法。驅(qū)動(dòng)器的 GND 在一個(gè)點(diǎn)連接至其他電路節(jié)點(diǎn)（如功率 MOSFET 源極、PWM 控制器接地端等）。必須盡可能縮短連接路徑，以降低電感；并盡量拓寬連接路徑，以降低電阻。
- 使用接地平面來提供噪聲屏蔽。在轉(zhuǎn)換期間，OUT 上的短暫上升和下降時(shí)間可能會(huì)使輸入信號(hào)損壞。接地平面不得是任何電流環(huán)路的傳導(dǎo)路徑。相反，必須使用一根跡線將接地平面連接到星形點(diǎn)，從而建立接地電勢(shì)。除噪聲屏蔽之外，接地平面還可以幫助降低功率耗散
- 用 UCC27524A-Q1 器件替換 UCC2732x/UCC2742x 器件時(shí)請(qǐng)務(wù)必謹(jǐn)慎：
- UCC27524A-Q1 器件是一款更強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)器（5A 峰值電流對(duì)比 4A 峰值電流）。
- UCC27524A-Q1 器件是一款更快速的柵極驅(qū)動(dòng)器（17ns/17ns 上升和下降傳播延遲對(duì)比 25ns/35ns 上升和下降傳播延遲）。