ZHCSEM1C December 2015 – September 2025 UCC27211A-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說(shuō)明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 電源相關(guān)建議
- 9 布局
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DDA|8
訂購(gòu)信息
4 引腳配置和功能
圖 4-1 DDA 封裝8 引腳 SO-PowerPAD頂視圖
圖 4-2 D 封裝8 引腳 SOIC底視圖表 4-1 引腳功能
| 引腳 | 類(lèi)型 | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱(chēng) | 編號(hào) | ||
| HB | 2 | P | 高側(cè)自舉電源。自舉二極管位于片上，但需要外部自舉電容器。將自舉電容器的正極側(cè)連接到該引腳。HB 旁路電容器的典型范圍為 0.022μF 至 0.1μF。電容器值取決于高側(cè) MOSFET 的柵極電荷，還必須根據(jù)速度和紋波標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行選擇。 |
| HI | 5 | I | 高側(cè)輸入。(1) |
| HO | 3 | O | 高側(cè)輸出。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 |
| HS | 4 | P | 高側(cè)源極連接。連接到高側(cè)功率 MOSFET 的源極。將自舉電容器的負(fù)極側(cè)連接到該引腳。 |
| LI | 6 | I | 低側(cè)輸入。(1) |
| LO | 8 | O | 低側(cè)輸出。連接到低側(cè)功率 MOSFET 的柵極。 |
| VDD | 1 | P | 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的正電源。將該引腳去耦合至 VSS (GND)。典型去耦電容器范圍為 0.22μF 到4.7μF（請(qǐng)參見(jiàn)(2)）。 |
| VSS | 7 | — | 器件的負(fù)電源端子，通常為接地。 |
| 散熱焊盤(pán)(3) | — | 僅用于 DDA 封裝。以 VSS (GND) 為電氣基準(zhǔn)。連接到熱質(zhì)量較大的布線或 GND 平面以提高熱性能。 | |
(1) 假設(shè) HI 或 LI 輸入連接到低阻抗源信號(hào)。假設(shè)源輸出阻抗小于 100Ω。如果源阻抗大于 100Ω，請(qǐng)?jiān)?HI 和 VSS 之間以及 LI 和 VSS 之間分別添加一個(gè)旁路電容器。添加的電容器值取決于引腳上出現(xiàn)的噪聲水平，通常 1nF 至 10nF 應(yīng)能有效消除可能的噪聲影響。當(dāng) HI 或 LI 這兩個(gè)引腳上出現(xiàn)噪聲時(shí)，會(huì)導(dǎo)致 HO 和 LO 故障，產(chǎn)生錯(cuò)誤的邏輯輸出。
(2) 對(duì)于低溫應(yīng)用，TI 建議使用電容范圍上限值。請(qǐng)遵循 PCB 布局的 布局指南。
(3) 散熱焊盤(pán)并不直接連接到封裝的任何引線；而是以電氣方式和熱方式連接至基板，該基板是器件的接地板。