為了改進(jìn)設(shè)計(jì)的開關(guān)特性和效率，必須遵循以下布局規(guī)則。
- 將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近 MOSFET 放置。
- 將 VDD - VSS 和 VHB - VHS（自舉）電容器盡可能靠近器件放置（請(qǐng)參閱圖 9-1）。
- 密切注意 GND 布線。通過將 DRM 封裝的散熱焊盤連接到 VSS 引腳 (GND)，將其用作 GND。驅(qū)動(dòng)器的 GND 布線直接連接到 MOSFET 的源極，但不得位于 MOSFET 漏極或源極電流的高電流路徑中。
- 對(duì) HS 節(jié)點(diǎn)使用與高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的 GND 類似的規(guī)則。
- 對(duì)于使用多個(gè) UCC27211A-Q1 器件的系統(tǒng)，TI 建議將專用去耦電容器放置在每個(gè)器件的 VDD-VSS 處。
- 必須注意避免將 VDD 布線放置在靠近 LO、HS 和 HO 信號(hào)的地方。
- 嚴(yán)格遵循 GND 或 HS 布線，對(duì) LO 和 HO 使用寬布線。在可能的情況下，最好使用 60mil 至 100mil 的寬度。
- 如果驅(qū)動(dòng)器輸出或 SW 節(jié)點(diǎn)必須從一層布線到另一層，請(qǐng)使用至少兩個(gè)或兩個(gè)以上過孔。對(duì)于 GND，過孔的數(shù)量必須考慮散熱焊盤要求以及寄生電感。
- 避免 LI 和 HI（驅(qū)動(dòng)器輸入）靠近 HS 節(jié)點(diǎn)或任何其他高 dV/dT 布線，因?yàn)檫@些布線會(huì)在阻抗相對(duì)較高的引線中引入大量噪聲。
布局不佳會(huì)導(dǎo)致效率顯著降低或系統(tǒng)故障，甚至?xí)?dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的可靠性降低。