ZHCSQF7D May 2023 – June 2024 UCC21551
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
- 8.2.3 應(yīng)用曲線
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWK|14
- DW|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DW|16
訂購(gòu)信息
8.2.2.2 選擇外部自舉二極管及其串聯(lián)電阻
每個(gè)周期，當(dāng)?shù)蛡?cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)，自舉電容器會(huì)由 VDD 通過(guò)外部自舉二極管進(jìn)行充電。為電容器充電涉及到高峰值電流，因此自舉二極管上的瞬態(tài)功率耗散可能會(huì)非常大。導(dǎo)通損耗還取決于二極管的正向壓降。柵極驅(qū)動(dòng)器電路中的總損耗包括二極管導(dǎo)通損耗和反向恢復(fù)損耗。
選擇外部自舉二極管時(shí)，建議選擇高電壓、快速恢復(fù)二極管或者具有低正向壓降和低結(jié)電容的 SiC 肖特基二極管，以更大限度地減少反向恢復(fù)和相關(guān)接地噪聲反彈引入的損耗。本例中，直流鏈路電壓為 800 VDC。自舉二極管的電壓等級(jí)應(yīng)該大于直流鏈路電壓并保留充分的裕度。因此，本例中選擇了 1200V SiC 二極管 C4D02120E。
設(shè)計(jì)自舉電源時(shí)，建議使用自舉電阻 RBOOT。自舉電阻還可用于降低 DBOOT 中的浪涌電流，并限制每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi) VDDA-VSSA 電壓的斜升壓擺率。
如不能將 VDDx-VSSx 的電壓限制在 FET 和 UCC21551x 的絕對(duì)最大額定值以下，在某些情況下可能對(duì)器件造成損壞。
RBOOT 的建議值在 1Ω 和 20Ω 之間，具體取決于所用的二極管。本例中選擇了一個(gè) 2.2Ω 限流電阻器來(lái)限制自舉二極管中的浪涌電流。在最壞的情況下，流經(jīng) DBoot 的峰值電流估計(jì)為：
其中
- VBDF 是 8A 條件下自舉二極管上的預(yù)計(jì)正向壓降。