ZHCSHQ7B February 2018 – April 2024 UCC21222-Q1
PRODUCTION DATA
UCC21222-Q1 器件是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩定性。該器件采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。
UCC21222-Q1 器件可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。該器件的 5ns 延遲匹配性能允許并聯兩個輸出,能夠在重負載條件下將驅動強度提高一倍,而無內部擊穿風險。
輸入側通過一個 3.0kVRMS 隔離層與兩個輸出驅動器相隔離,其共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。
可通過電阻器進行編程的死區時間幫助您調整系統限制的死區時間,從而提高效率并防止輸出重疊。其他保護特性包括:當 DIS 設置為高電平時,通過禁用功能同時關閉兩路輸出;集成的抗尖峰濾波器可抑制短于 5ns 的輸入瞬變;以及在輸入和輸出引腳上對高達 -2V 的尖峰進行 200ns 的負電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護。
| 器件型號 | 封裝(1) | 封裝尺寸(標稱值) |
|---|---|---|
| UCC21222-Q1 | D (SOIC 16) | 9.9mm × 3.91mm |
功能方框圖