使用 UCC14341-Q1 模塊進行設計很簡單。首先，選擇單路輸出還是雙路輸出。確定每個輸出的電壓，然后通過電阻分壓器設置調節。其次，根據“電容器選型”部分中的步驟選擇建議的輸入和輸出電容器。功率器件的柵極電荷決定了柵極驅動器輸入端所需的輸出去耦電容大小。再次，根據“單個 R_LIM 電阻器選型”或“RDR 電路元件選型”部分中的步驟，計算雙路輸出用于調節 (COM–VEE) 電壓軌的 R_LIM 電阻值。

對于雙路輸出配置，VDD 至 VEE 輸出電容器的放置和 RLIM 至 COM 電阻會對電源模塊的性能和系統 BOM 成本產生很大影響。表 8-1 比較了兩種不同 VDD 至 VEE 輸出去耦電容器放置方式和兩種 R_LIM 限流網絡的四種組合。數字 1 表示最佳，數字 4 表示最差。表中顯示方案 B 提供最佳性能，而方案 A 提供最低的 BOM 成本。如圖 8-8 所示，C_OUT1 是最靠近 VDD 和 VEE 引腳的去耦電容器，而 C_OUT1B 是最靠近輸出負載的去耦電容器。此外，RLIM 引腳和 COM 端子之間的限流電阻器網絡稱為 RDR 電路，可獨立對 R_LIM 穩壓器的充電和放電電流進行編程。

例如，對于具有高 di/dt 電流變化的柵極驅動器應用，電源模塊的輸出端子和輸出負載的輸入偏置端子之間的有限阻抗會極大地影響負載點的瞬態響應，因此，局部去耦電容 C_OUT1B 可在驅動器開關條件下為 V_VDD-to-COM 和 V_COM-to-VEE 提供非常有效的低阻抗去耦。從原理圖方面看，增加 C_OUT1B 似乎意味著再增加一個電容器，但實際情況是，它有助于避免 C_OUT2 和 C_OUT3 過大。使用 C_OUT1B 時，C_OUT2 和 C_OUT3 的電容和電容器封裝尺寸減小，最終降低了輸出電容器組的總 BOM 成本。后面的節 8.2.2.1將詳細介紹 C_OUT1B 的設計過程。另一個優勢是，當 C_OUT2 和 C_OUT3 的電容減小時，可以使用更高的 R_LIM 電阻進行 COM 至 VEE 調節，因此降低了 RLIM 穩壓器的功率損耗，從而提高了電源模塊效率。

如圖 8-8 所示，RDR 電路是 RLIM 引腳的限流電阻器網絡，允許 R_LIM 穩壓器獨立優化充電和放電電流能力，以便通過減少 R_LIM 穩壓器的功率損耗來進一步提高電源模塊效率。電路由三個元件組成，一個高阻值電阻 R_LIM1 與另一個電阻-二極管分支并聯，一個小阻值電阻 R_LIM2 與小信號二極管 D_LIM 串聯。R_LIM1 電阻遠高于 R_LIM2 電阻。由于 V_VDD-to-VEE 通常比 V_COM-to-VEE 高得多（尤其是在柵極驅動應用中），R_LIM1 為內部充電開關提供了一條高電阻路徑來大幅降低開關電流，從而降低內部充電開關的開關損耗和傳導損耗以及 R_LIM1 的功率損耗，可實現更高的效率。此外，由于充電電流更小，在充電開關導通時對減少 V_VDD-to-VEE 紋波的干擾將降至最低，因此總峰峰值紋波將減小。

當放電開關打開時，D_LIM 提供了一條單向路徑，可將大部分 RLIM 引腳電流轉回 R_LIM2。借助這種方法，配備足夠強灌電流能力的 RLIM 穩壓器可以避免 COM 引腳端子上的不平衡電流在穩壓范圍之外為 V_COM-to-VEE 充電。由于 V_COM-to-VEE 低于 V_VDD-to-VEE，例如 -5V 相對于 25V，因此內部放電開關和具有更大開關電流的 R_LIM2 的功率損耗問題就不那么重要了。相反，如果 RLIM 引腳僅使用一個電阻器，則電阻器需要設計為在最壞情況下具有最低電阻，以確保 V_COM-to-VEE 調節，因此效率會受到影響。例如，與僅使用一個 51Ω 的 R_LIM 相比，R_LIM1 為 1kΩ 且 R_LIM2 為 51Ω 的 RDR 電路可在從 VDD 到 COM 的 10mA 負載下將轉換器效率提高 7%，并將外殼溫度降低 10°C。

基于上述情況，強烈建議將方案 B 作為應用的首選。若有其他注意事項需要考慮，用戶仍可以使用另外三種設計方案。設計計算器提供了一個通用計算工具，可幫助用戶優化每種方案。這些公式基于以下詳細說明。