5 引腳配置和功能

圖 5-1 DWN 封裝，36 引腳 SSOP（頂視圖）

表 5-1 引腳功能

引腳		類型⁽¹⁾	說明
名稱	編號	類型⁽¹⁾	說明
GNDP	1、2、5、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18	G	VIN 的初級側接地連接。引腳 1、2 和 5 是模擬地。引腳 8、9、10、11、12、13、14、15、16、17 和 18 是電源地。在覆銅上放置幾個過孔以進行散熱。請參閱布局指南部分。
PG	3	O	低電平有效電源正常開漏輸出引腳。當 (V_{VIN_UVLOP} ≤ V_VIN ≤ V_{VIN_OVLOP})、(V_{VDD_UVP} ≤ V_FBVDD ≤ V_{VDD_OVP})、(V_{VEE_UVP} ≤ V_FBVEE ≤ V_{VEE_OVP})、T_{J_Primary} ≤ TSHUTP_{PRIMARY_RISE} 和 T_{J_secondary} ≤ TSHUTS_{SECONDARY_RISE} 時，PG 保持低電平
ENA	4	I	使能引腳。強制 ENA 為低電平會禁用器件。上拉至高電平以啟用正常的器件功能。建議最大值為 5.5V。
VIN	6、7	P	初級輸入電壓。引腳 6 用于模擬輸入，引腳 7 用于電源輸入。對于引腳 7，將兩個 10μF 陶瓷電容器從電源 VIN 引腳 7 連接到電源 GNDP 引腳 8。在引腳 7 和引腳 8 附近連接一個 0.1μF 高頻旁路陶瓷電容器。
VEE	19、20、21、22、23、24、25、26、27、30、31、36	G	用于 VDD 和 COM 的次級側基準連接。VEE 引腳用于高電流返回路徑。
VDD	28、29	P	來自變壓器的次級側隔離式輸出電壓。在 VDD 到 VEE 之間連接一個 10μF 和一個并聯 0.1μF 陶瓷電容器。0.1μF 陶瓷電容器是高頻旁路，必須靠近 IC 引腳。
RLIM	32	P	第二個次級側隔離式輸出電壓電阻，用于限制從 VDD 到 COM 節點的拉電流和從 COM 到 VEE 的灌電流。在 RLIM 和 COM 之間連接一個電阻來調節 (COM – VEE) 電壓。有關更多詳情，請參閱 R_LIM 電阻器選型。
FBVEE	33	I	反饋 (COM – VEE) 輸出電壓檢測引腳用于調整輸出 (COM – VEE) 電壓。在 COM 到 VEE 之間連接一個電阻分壓器，以使中點連接到 FBVEE，且穩壓時的等效 FBVEE 電壓為 2.5V。添加一個 330pF 陶瓷電容器，與低側反饋電阻器并聯實現高頻去耦。用于高頻旁路的 330pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或背層（兩層通過過孔連接）的 FBVEE 和 VEEA IC 引腳。
FBVDD	34	I	反饋 (VDD – VEE) 輸出電壓檢測引腳用于調整輸出 (VDD – VEE) 電壓。在 VDD 到 VEE 之間連接一個電阻分壓器，以使中點連接到 FBVDD，且穩壓時的等效 FBVDD 電壓為 2.5V。添加一個 330pF 陶瓷電容器，與低側反饋電阻器并聯實現高頻去耦。用于高頻旁路的 330pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或背層（兩層通過過孔連接）的 FBVDD 和 VEEA IC 引腳。
VEEA	35	G	用于噪聲敏感模擬反饋輸入、FBVDD 和 FBVEE 的次級側模擬檢測基準連接。將低側反饋電阻和高頻去耦濾波電容連接到靠近 VEEA 引腳和各自的反饋引腳 FBVDD 或 FBVEE。連接到次級側柵極驅動最低電壓基準 VEE。使用單點連接并將高頻去耦陶瓷電容器靠近 VEEA 引腳放置。請參閱布局指南部分。

(1) P = 電源，G = 地，I = 輸入，O = 輸出