ZHCSRQ5B february 2023 – june 2023 UCC14141-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電源（初級側(cè)，所有電壓均以 GNDP 為基準） | ||||||
| VVIN | 輸入電壓范圍（0.7W，(VDD-VEE)=25V，TA=85oC） | 初級側(cè)輸入電壓至 GNDP | 8(1) | 12 | 18 | V |
| 輸入電壓范圍（1.2W，(VDD-VEE)=25V，TA=85oC） | 初級側(cè)輸入電壓至 GNDP | 11.4 | 12 | 12.6 | V | |
| IVINQ_OFF | VIN 靜態(tài)電流，已禁用 | VENA = 0V；VVIN = 8V 至 18V； | 600 | μA | ||
| IVIN_ON_NO_LOAD | VIN 工作電流，已啟用，空載 | VENA = 5V；VVIN = 8V 至 18V；(VDD-VEE) = 25V 調(diào)節(jié)；IVDD-VEE = 0mA。單路輸出。 | 40 | mA | ||
| IVIN_ON_FULL_LOAD | VIN 工作電流，已啟用，滿載 | VENA = 5V；VVIN = 8V 至 18V；(VDD-VEE) = 25V 調(diào)節(jié)；IVDD-VEE = 40mA。單路輸出。 | 200 | mA | ||
| VIN 工作電流，已啟用，滿載 | VENA = 5V；VVIN = 11.4V 至 12.6V；(VDD-VEE) = 25V 調(diào)節(jié)；IVDD-VEE = 60mA。單路輸出。 | 270 | mA | |||
| UVLOP 比較器（初級側(cè)，所有電壓均以 GNDP 為基準） | ||||||
| VVIN_UVLOP_RISING | VIN 模擬欠壓鎖定上升閾值 | 模擬比較器始終先運行 | 7.8 | 8.2 | 8.5 | V |
| VVIN_ UVLOP_FALLING | VIN 模擬欠壓鎖定下降閾值 | 模擬比較器始終先運行 | 7 | 7.4 | 7.7 | V |
| OVLO 比較器（初級側(cè)，所有電壓均以 GNDP 為基準） | ||||||
| VVIN_OVLO_RISING | VIN 過壓鎖定上升閾值 | 20.9 | 22 | 23.1 | V | |
| VVIN_OVLO_FALLING | VIN 過壓鎖定下降閾值 | 19 | 20 | 21 | V | |
| TSHUTP 熱關(guān)斷比較器（初級側(cè)，所有電壓均以 GNDP 為基準） | ||||||
| TSHUTPPRIMARY_RISING | 初級側(cè)過熱關(guān)斷上升閾值 | 首次上電時，TJ 需要低于 140°C 才能啟用 | 150 | 160 | 170 | °C |
| TSHUTPPRIMARY_HYST | 初級側(cè)過熱關(guān)斷遲滯 | 15 | 20 | 25 | °C | |
| ENA 輸入引腳（初級側(cè)，所有電壓均以 GNDP 為基準） | ||||||
| VEN_IR | 輸入電壓上升閾值，邏輯高電平 | 上升沿 | 2.1 | V | ||
| VEN_IF | 輸入電壓下降閾值，邏輯低電平 | 下降沿 | 0.8 | V | ||
| IEN | 使能引腳輸入電流 | VENA = 5.0V | 5 | 10 | μA | |
| PG 開漏輸出引腳（初級側(cè)，所有電壓均以 GNDP 為基準） | ||||||
| VPG_OUT_LO | PG 輸出低飽和電壓 | 灌電流 = 5mA，電源正常 | 0.5 | V | ||
| IPG_OUT_HI | PG 漏電流 | VPG = 5.5V，電源不正常 | 5 | μA | ||
| 初級側(cè)控制（所有電壓均以 GNDP 為基準） | ||||||
| FSW | 開關(guān)頻率 | VVIN = 12V；VENA = 5V；(VDD-VEE) = 25V | 16 | MHz | ||
| FSSM | 展頻調(diào)制 (SSM) 三角波形的頻率 | 僅在初級側(cè)啟動期間，在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 為高電平之后啟動；FSS_BURST_P = 125kHz | 90 | kHz | ||
| FCARRIER 的 SSM 百分比變化 | 三角波形展頻調(diào)制 (SSM) 期間載波頻率的 SSM 百分比變化 | 僅在初級側(cè)啟動期間，在 VIN 高于 UVLOP 且 ENA 為高電平之后啟動；FSS_BURST_P = 125kHz | 5 | % | ||
| tSOFT_START_TIME_OUT | 初級側(cè)軟啟動超時 | 當(dāng) VIN 高于 UVLOP 且 ENA 為高電平時計時器開始工作，當(dāng)電源正常引腳指示正常時復(fù)位 | 28.4 | ms | ||
| (VDD-VEE) 輸出電壓（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVDD_RANGE | (VDD-VEE) 輸出電壓范圍 | 15 | 25 | V | ||
| VVDD_DC_ACCURACY | (VDD-VEE) 輸出電壓直流調(diào)節(jié)精度 | 次級側(cè) (VDD-VEE) 輸出電壓，在負載、線性變化和溫度范圍內(nèi)，通過外部電阻分壓器進行外部調(diào)節(jié)，在 SOA 范圍內(nèi)。 |
-1.3 | 1.3 | % | |
| (VDD-VEE) 調(diào)節(jié)遲滯比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VFBVDD_REF | (VDD-VEE) 的反饋調(diào)節(jié)基準電壓 | (VDD-VEE) 穩(wěn)壓輸出 | 2.4675 | 2.5 | 2.5325 | V |
| VFBVDD_HYSTCMP_HYST | (VDD-VEE) 遲滯比較器遲滯設(shè)置。 VFBVDD 引腳遲滯。 |
遲滯設(shè)置 | 9 | 10 | 12.3 | mV |
| (COM-VEE) 輸出電壓（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVEE_RANGE | (COM-VEE) 輸出電壓范圍 | 次級側(cè) (COM-VEE)，通過外部電阻分壓器進行調(diào)節(jié) | 2.5 | (VDD-VEE) | V | |
| VVEE_DC_ACURACY | (COM-VEE) 輸出電壓直流 調(diào)節(jié)精度 |
次級側(cè) (COM-VEE) 輸出電壓，在負載、線性變化和溫度范圍內(nèi)，通過外部電阻分壓器 進行外部調(diào)節(jié) |
–1.3 | 1.3 | % | |
| (COM-VEE) 調(diào)節(jié)遲滯比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VFBVEE_REF | (COM-VEE) 的反饋調(diào)節(jié)基準電壓 | (COM-VEE) 穩(wěn)壓輸出 | 2.4675 | 2.5 | 2.5325 | V |
| VRLIM_SHORT_CHRG_CMP_RISE | 用于退出 PWM 的 Rlim 短路充電比較器上升閾值 | 上升閾值 | 0.73 | V | ||
| tRLIM_SHORT_CHRG_ON_TIME | RLIM 引腳短路充電 PWM 模式期間的導(dǎo)通時間 | RLIM 引腳 < 0.645V，而 FBVEE 引腳 < 2.48V | 1.1 | us | ||
| tRLIM_SHORT_CHRG_OFF_TIME | RLIM 引腳短路充電 PWM 模式期間的關(guān)斷時間 | RLIM 引腳 < 0.645V，而 FBVEE 引腳 < 2.48V | 5 | us | ||
| (VDD-VEE) UVLO 比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVDD_UVLOS_RISING | (VDD-VEE) 欠壓鎖定上升閾值 | FBVDD 處的電壓 | 0.9 | V | ||
| VVDD_UVLOS_HYST | (VDD-VEE) 欠壓鎖定遲滯 | FBVDD 處的電壓 | 0.2 | V | ||
| (VDD-VEE) OVLO 比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVDD_OVLOS_RISING | (VDD-VEE) 過壓鎖定上升閾值 | 電壓范圍為 VDD 至 VEE，上升 | 29.45 | 31 | 32.55 | V |
| VVDD_OVLOS_FALLING | (VDD-VEE) 過壓鎖定下降閾值 | 電壓范圍為 VDD 至 VEE，下降 | 27.55 | 29 | 30.45 | V |
| 軟啟動（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| tdeglitch | 軟啟動期間、PG 之前，(VDD-VEE) UVP 和 (COM-VEE) UVP 及 OVP 的抗尖峰脈沖時間 | 3 | ms | |||
| (VDD-VEE) UVP，欠壓保護比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVDD_UVP_RISING | (VDD-VEE) 欠壓保護上升閾值，VUVP = VREF × 90% | 2.175 | 2.25 | 2.35 | V | |
| VVDD_UVP_HYST | (VDD-VEE) 欠壓保護遲滯 | 20 | mV | |||
| (VDD-VEE) OVP，過壓保護比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVDD_OVP_RISING | (VDD – VEE) 過壓保護上升閾值，VOVP = VREF × 110% | 2.7 | 2.75 | 2.825 | V | |
| VVDD_OVP_HYST | (VDD-VEE) 過壓保護遲滯 | 20 | mV | |||
| (COM-VEE) UVP，欠壓保護比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVEE_UVP_RISING | (COM-VEE) 欠壓保護上升閾值，VUVP = VREF × 90% | 2.1 | 2.25 | 2.4 | V | |
| VVEE_UVP_HYST | (COM-VEE) 欠壓保護遲滯 | 20 | mV | |||
| (COM-VEE) OVP，過壓保護比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| VVEE_OVP_RISING | (COM-VEE) 過壓保護上升閾值，VOVP = VREF × 110% | 2.7 | 2.75 | 2.825 | V | |
| VVEE_OVP_HYST | (COM-VEE) 過壓保護遲滯 | 20 | mV | |||
| TSHUTS 熱關(guān)斷比較器（次級側(cè)，所有電壓均以 VEE 為基準） | ||||||
| TSHUTSSECONDARY_RISE | 次級側(cè)過熱關(guān)斷上升閾值 | 首次上電時，Tj 需要低于 140oC 才能啟用。 | 150 | 160 | 170 | °C |
| TSHUTSSECONDARY_HYST | 次級側(cè)過熱關(guān)斷遲滯 | 15 | 20 | 25 | °C | |
| CMTI（共模瞬態(tài)抗擾度） | ||||||
| CMTI | 共模瞬態(tài)抗擾度 | 以 GNDP 為基準的正 VEE | 150 | V/ns | ||
| 以 GNDP 為基準的負 VEE | -150 | V/ns | ||||
| 集成式 MAGLAM 變壓器（初級側(cè)至次級側(cè)。注意：這些值對于每個 XFMR 版本都是唯一的） | ||||||
| N | 變壓器有效匝數(shù)比 | 次級側(cè)至初級側(cè) | 2.72 | - | ||