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ZHCSQ20A August 2023 – September 2023 UCC14130-Q1

PRODUCTION DATA

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DWN|36
- MPSS132

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhcsq20a_oa

12.2.2.3 RDR 電路元件選型

可根據以下公式選擇 R_LIM1 值

方程式 14.

R_{L I M 1} = \frac{(V_{V D D - V E E} - V_{C O M - V E E})}{(C_{O U T 3} \times (1 + {? C}_{O U T 3_P O S}) \times (\frac{0.1 \times V_{C O M - V E E}}{0.003}) + {? I}_{C O M_S O U R C E})} - R_{L I M_I N T}

其中

當 I_COM-VEE>I_VDD-COM 時，?I_{COM_SOURCE}=I_COM-VEE-I_VDD-COM。否則，?I_{COM_SOURCE}=0A。

當計算得出的 R_LIM1 值大于 3kΩ 時，我們建議 R_LIM1 使用 3kΩ 電阻器。原因是使用 >3kΩ 電阻器節省的額外功率損耗非常有限，建議使用最大 3kΩ 電阻器，以通過 R_LIM1 保留足夠的拉電流能力來應對瞬態事件。

可根據以下公式選擇 R_LIM2 值

方程式 15.

R_{L I M 2} = \frac{V_{C O M - V E E} - 0.5}{V_{C O M - V E E} ? (\frac{1}{R_{L I M_M A X_L}} - \frac{1}{R_{L I M_M A X_H}})}

其中，R_{LIM_MAX_L} 是“單個 R_LIM 電阻器選型”部分中介于 R_{LIM_MAX_L1} 和 R_{LIM_MAX_L2} 之間的最小值，而 0.5V 表示 D_LIM 的二極管正向壓降。

當計算出的 R_LIM1 和 R_LIM2 值具有足夠大的差異時，RDR 效率提升很顯著。如果 R_LIM1 和 R_LIM2 值接近，則可以考慮使用單個 R_LIM 電阻器來減少外部元件。

R_LIM1 的功率損耗可根據下式推導出

方程式 16.

P_{R L I M 1} = \frac{{V_{V D D - C O M}}^{2}}{R_{L I M 1}} {D u t y}_{R L I M} + {(I_{S I N K} x \frac{V_{C O M - V E E} {\times R}_{L I M 2}}{V_{C O M - V E E} {\times R}_{L I M 2} + (V_{C O M - V E E} - 0.5) {x R}_{L I M 1}})}^{2} {\times R}_{L I M 1}

其中

方程式 17.

I_{S I N K} = {[\frac{C_{O U T 2} \times (1 - {? C}_{O U T 2})}{C_{O U T 2} \times (1 - {? C}_{O U T 2}) + C_{O U T 3} \times (1 - {? C}_{O U T 3})} - \frac{C_{O U T 2}}{C_{O U T 2} + C_{O U T 3}}] \times Q}_{G_{T o t a l}} \times f_{S W} + {? I}_{C O M_{S I N K}}

R_LIM2 的功率損耗可根據下式近似得出

方程式 18.

P_{R L I M 2} = {(I_{S I N K} \times \frac{(V_{C O M - V E E} - 0.5) {x R}_{L I M 1}}{V_{C O M - V E E} {\times R}_{L I M 2} + (V_{C O M - V E E} - 0.5) {x R}_{L I M 1}})}^{2} {\times R}_{L I M 2}

二極管 D_LIM 的最大額定電壓需要考慮最高 V_VDD-to-VEE。D_LIM 的最大額定電流可以根據最壞情況下持續電流的降額 (V_COM-to-VEE – V_{F_DLIM}) / R_LIM2 來選擇，其中 V_{F_DLIM} 是 D_LIM 的正向電壓。二極管封裝尺寸是根據正向導通中的功率損耗 P_{Loss_DLIM} = V_{F_DLIM} x ((V_COM-to-VEE – V_{F_DLIM}) / R_LIM2) 確定的。建議使用肖特基二極管來降低功率損耗。