ZHCSNW3B May 2021 – February 2025 TXU0104
PRODUCTION DATA
標準 CMOS 輸入為高阻抗，通常建模為與輸入電容并聯的電阻器，如節 5.5 中所示。最壞情況下的電阻是根據節 5.1中給出的最大輸入電壓和電氣特性中給出的最大輸入漏電流，使用歐姆定律 (R = V ÷ I) 計算得出的。
施密特觸發輸入架構可提供由電氣特性中的 ΔVT 定義的遲滯，因而此器件能夠很好地耐受慢速或高噪聲輸入。較慢地驅動輸入會增加器件的動態電流消耗。有關施密特觸發輸入的更多信息，請參閱了解施密特觸發。