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ZHCSUY3 August 2024 TPSM8287A12M , TPSM8287A15M

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RDW|39
- MPQF792A

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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9.2.2.1 選擇輸入電容器

輸入電容器可緩沖瞬態(tài)事件的輸入電壓，并將轉(zhuǎn)換器與電源去耦。TI 建議使用 X7R 多層陶瓷電容器 (MLCC) 以實(shí)現(xiàn)出色濾波效果，并必須將其放置在 VIN 和 GND 引腳之間盡可能靠近這些引腳的位置。對(duì)于環(huán)境溫度低于 85°C 的應(yīng)用，可以使用具有 X5R 電介質(zhì)的電容器。陶瓷電容器具有直流偏置效應(yīng)，會(huì)對(duì)最終的有效電容產(chǎn)生很大影響。結(jié)合考慮封裝尺寸和額定電壓，仔細(xì)選擇合適的電容器。兩個(gè)高頻輸入電容器放置在模塊內(nèi)部，以降低 EMI、縮小整體設(shè)計(jì)尺寸并簡(jiǎn)化電路板布局布線。由于這些集成電容器以高頻率為目標(biāo)，因此每個(gè) VIN 引腳都需要具有最小 5μF 的額外外部電容器。

TPSM8287A1xM 器件采用蝶形或并聯(lián)布局，兩對(duì) VIN 和 GND 引腳位于封裝的兩個(gè)相對(duì)側(cè)。這使得輸入電容器可以對(duì)稱地放置在 PCB 上，以使電磁場(chǎng)相互抵消，從而降低 EMI。此外，通過(guò)該引腳排列，輸入電容器與 IC 之間的寄生環(huán)路電感也會(huì)降低。

轉(zhuǎn)換器的占空比由以下公式給出：

方程式 11.

D = \frac{V_{O U T}}{η {\times V}_{I N}}

其中：

V_IN 是輸入電壓
V_OUT 是輸出電壓
η 是效率

方程式 12.

D = \frac{0.90}{0.83 \times 2.7} = 0.402

滿足系統(tǒng)級(jí)輸入電壓紋波要求所需的輸入電容值由方程式 42 給出。本示例使用了最低輸入電壓和最高負(fù)載電流來(lái)生成輸入電壓紋波高達(dá) 100mV 的最壞情況。

方程式 13.

C_{I N} = \frac{D \times (1 - D) \times I_{O U T}}{V_{I N (P P)} {\times f}_{s w}}

其中：

D 為占空比
f_sw 是開(kāi)關(guān)頻率
L 是電感
I_OUT 是輸出電流

方程式 14.

C_{I N} = \frac{0.402 \times (1 - 0.402) \times 12.0}{0.1 \times 2.25 \times 10^{6}} = 12.8 μ F

通過(guò)方程式 42 計(jì)算得出的 C_IN 值是考慮所有降額、容差和老化影響后的有效電容。