ZHCSUY3 August 2024 TPSM8287A12M , TPSM8287A15M
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件選項(xiàng)
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說(shuō)明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說(shuō)明
- 7.3.1 固定頻率 DCS 控制拓?fù)?/a>
- 7.3.2 強(qiáng)制 PWM 和省電模式
- 7.3.3 精密使能
- 7.3.4 啟動(dòng)
- 7.3.5 開(kāi)關(guān)頻率選擇
- 7.3.6 輸出電壓設(shè)置
- 7.3.7 補(bǔ)償 (COMP)
- 7.3.8 模式選擇/時(shí)鐘同步 (MODE/SYNC)
- 7.3.9 展頻時(shí)鐘 (SSC)
- 7.3.10 輸出放電
- 7.3.11 欠壓鎖定 (UVLO)
- 7.3.12 過(guò)壓鎖定 (OVLO)
- 7.3.13 過(guò)流保護(hù)
- 7.3.14 電源正常 (PG)
- 7.3.15 遙感
- 7.3.16 熱警告和熱關(guān)斷
- 7.3.17 堆疊操作
- 7.4 器件功能模式
- 7.5 編程
- 8 器件寄存器
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RDW|39
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.13.1 逐周期電流限制
TPSM8287A1xM 具有過(guò)載和短路保護(hù)功能。如果電感器電流超過(guò)高側(cè)電流限值，高側(cè) MOSFET 將關(guān)斷，低側(cè) MOSFET 將導(dǎo)通，以便降低電感器電流。僅當(dāng)?shù)蛡?cè) MOSFET 中的電流降至低側(cè)電流限值以下時(shí)，高側(cè) MOSFET 才會(huì)再次導(dǎo)通。這些電流限制旨在防止電感器達(dá)到飽和狀態(tài)。圖 7-17 顯示了電流限制中的典型輸入電流。
| TA = 25°C | HICCUP = 0 |
低側(cè) MOSFET 還包含負(fù)電流限值，以防止過(guò)大的電流通過(guò)電感器流回輸入端。如果超過(guò)低側(cè)灌電流限制，低側(cè) MOSFET 將關(guān)閉。在這種情況下，兩個(gè) MOSFET 都會(huì)關(guān)閉，直到下一個(gè)周期開(kāi)始為止。負(fù)電流限制僅在強(qiáng)制 PWM 模式下有效。