ZHCSUY3 August 2024 TPSM8287A12M , TPSM8287A15M
PRODUCTION DATA
表 8-1 列出了器件寄存器。表 8-1 中未列出的所有寄存器地址都應(yīng)視為保留的位置，并且不得修改寄存器內(nèi)容。
| 地址 | 首字母縮寫詞 | 寄存器名稱 | 部分 |
|---|---|---|---|
| 0h | VSET | 輸出電壓設(shè)定點(diǎn) | 前往 |
| 1h | CONTROL1 | 控制 1 | 前往 |
| 2h | CONTROL2 | 控制 2 | 前往 |
| 3h | CONTROL3 | 控制 3 | 前往 |
| 4h | STATUS | 狀態(tài) | 前往 |
復(fù)雜的位訪問(wèn)類型經(jīng)過(guò)編碼可適應(yīng)小型表單元。表 8-2 展示了適用于此部分中訪問(wèn)類型的代碼。
| 訪問(wèn)類型 | 代碼 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|
| 讀取類型 | ||
| R | R | 讀取 |
| 寫入類型 | ||
| W | W | 寫入 |
| 復(fù)位或默認(rèn)值 | ||
| - n | 復(fù)位后的值或默認(rèn)值 | |
圖 8-1 展示了 VSET，表 8-3 中對(duì)此進(jìn)行了介紹。
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該寄存器控制輸出電壓設(shè)定點(diǎn)
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| VSET | |||||||
| R/W-X | |||||||
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | VSET | R/W | X | 輸出電壓設(shè)定點(diǎn)（另請(qǐng)參閱 CONTROL2 寄存器中的范圍設(shè)置位）。 范圍 1：輸出電壓設(shè)定點(diǎn) = 0.4V + VSET[7:0] × 1.25mV 范圍 2：輸出電壓設(shè)定點(diǎn) = 0.4V + VSET[7:0] × 2.5mV 范圍 3：輸出電壓設(shè)定點(diǎn) = 0.4V + VSET[7:0] × 5mV 范圍 4：輸出電壓設(shè)定點(diǎn) = 0.8V + VSET[7:0] × 10mV 上電期間 VSETx 引腳的狀態(tài)決定了復(fù)位值。 （請(qǐng)參閱表 7-2）。 |
圖 8-2 展示了 CONTROL1，表 8-4 中對(duì)此進(jìn)行了介紹。
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該寄存器控制各種器件配置選項(xiàng)
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| 復(fù)位 | SSCEN | SWEN | FPWMEN | DISCHEN | HICCUPEN | VRAMP | |
| R/W-0b | R/W-0b | R/W-1b | R/W-0b | R/W-1b | R/W-0b | R/W-10b | |
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | 復(fù)位 | R/W | 0b | 復(fù)位器件。 0b = 無(wú)效 1b = 將所有寄存器復(fù)位為默認(rèn)值。 器件隨后執(zhí)行另一個(gè)初始化。 |
| 6 | SSCEN | R/W | 0b | 啟用展頻時(shí)鐘。 0b = 禁用 SSC 運(yùn)行 1b = 啟用 SSC 運(yùn)行 |
| 5 | SWEN | R/W | 1b | 啟用軟件。 0b = 禁用開(kāi)關(guān)（保留寄存器值） 1b = 啟用開(kāi)關(guān)（無(wú)啟用延遲 td(EN)1） |
| 4 | FPWMEN | R/W | 0b | 啟用強(qiáng)制 PWM。 0b = 啟用省電運(yùn)行 1b = 啟用強(qiáng)制 PWM 運(yùn)行 該位與 MODE/SYNC 引腳進(jìn)行邏輯或運(yùn)算：如果向 MODE/SYNC 引腳施加高電平或同步時(shí)鐘，則無(wú)論該位的狀態(tài)如何，器件都會(huì)以強(qiáng)制 PWM 模式運(yùn)行。 |
| 3 | DISCHEN | R/W | 1b | 啟用輸出放電。 0b = 禁用輸出放電。 1b = 啟用輸出放電。 |
| 2 | HICCUPEN | R/W | 0b | 啟用斷續(xù)運(yùn)行。 0b = 禁用斷續(xù)運(yùn)行 1b = 啟用斷續(xù)運(yùn)行。請(qǐng)勿在堆疊運(yùn)行期間啟用斷續(xù)運(yùn)行 |
| 1-0 | VRAMP | R/W | 10b | 從一個(gè)輸出電壓設(shè)置切換到另一個(gè)輸出電壓設(shè)置時(shí)的輸出電壓變化速度。 00b = 10mV/μs 01b = 5mV/μs 10b = 1.25mV/μs 11b = 0.5mV/μs |
圖 8-3 展示了 CONTROL2，表 8-5 中對(duì)此進(jìn)行了介紹。
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該寄存器控制各種器件配置選項(xiàng)
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RESERVED | VRANGE | SSTIME | |||||
| R-0000b | R/W-X | R/W-01b | |||||
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-4 | RESERVED | R | 0000b | 保留供將來(lái)使用。為了確保與未來(lái)器件型號(hào)兼容，請(qǐng)將這些位編程為 0。 |
| 3-2 | VRANGE | R/W | X | 輸出電壓范圍。 00b = 0.4V 至 0.71875V，步長(zhǎng)為 1.25mV 01b = 0.4V 至 1.0375V，步長(zhǎng)為 2.5mV 10b = 0.4V 至 1.675V，步長(zhǎng)為 5mV 11b = 0.8V 至 3.35V，步長(zhǎng)為 10mV。 上電期間 VSETx 引腳的狀態(tài)決定了復(fù)位值。請(qǐng)參閱表 7-2。 |
| 1-0 | SSTIME | R/W | 01b | 軟啟動(dòng)斜坡時(shí)間。 00b = 0.5ms 01b = 1ms 10b = 2ms 11b = 4ms |
圖 8-4 展示了 CONTROL3，表 8-6 中對(duì)此進(jìn)行了介紹。
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該寄存器控制各種器件配置選項(xiàng)
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RESERVED | SINGLE | PGBLNKDVS | |||||
| R-000000b | R/W-0b | R/W-0b | |||||
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-2 | RESERVED | R | 000000b | 保留供將來(lái)使用。為了確保與未來(lái)器件型號(hào)兼容，請(qǐng)將這些位編程為 0。 |
| 1 | SINGLE | R/W | 0b | 單器件運(yùn)行。該位控制內(nèi)部 EN 下拉和 SYNC_OUT 功能。 0b = 使能 EN 引腳下拉和 SYNC_OUT。
|
| 0 | PGBLNKDVS | R/W | 0b | DVS 期間的電源正常狀態(tài)消隱。 0b = PG 引腳反映窗口比較器的輸出 1b = PG 引腳在 DVS 期間處于高阻抗?fàn)顟B(tài) |
圖 8-5 展示了 STATUS，表 8-7 中對(duì)此進(jìn)行了介紹。
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該寄存器返回器件狀態(tài)標(biāo)志
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RESERVED | HICCUP | ILIM | TWARN | TSHUT | PBUV | PBOV | |
| R-00b | R-0b | R-0b | R-0b | R-0b | R-1b | R-0b | |
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | RESERVED | R | 00b | 保留供將來(lái)使用。為確保與未來(lái)器件型號(hào)兼容，請(qǐng)忽略這些位。 |
| 5 | HICCUP | R | 0b | 斷續(xù)。該位報(bào)告自上次讀取 STATUS 寄存器以來(lái)是否發(fā)生斷續(xù)事件。 0b = 未發(fā)生斷續(xù)事件 1b = 發(fā)生了斷續(xù)事件 |
| 4 | ILIM | R | 0b | 電流限制。該位報(bào)告自上次讀取 STATUS 寄存器以來(lái)是否發(fā)生電流限制事件。 0b = 未發(fā)生電流限制事件 1b = 發(fā)生了電流限制事件 |
| 3 | TWARN | R | 0b | 熱警告。該位報(bào)告自上次讀取 STATUS 寄存器以來(lái)是否發(fā)生熱警告事件。 0b = 未發(fā)生熱警告事件 1b = 發(fā)生了熱警告事件 |
| 2 | TSHUT | R | 0b | 熱關(guān)斷。該位報(bào)告自上次讀取 STATUS 寄存器以來(lái)是否發(fā)生關(guān)斷事件。 0b = 未發(fā)生熱關(guān)斷事件 1b = 發(fā)生了熱關(guān)斷事件 |
| 1 | PBUV | R | 1b | 電源不良欠壓。該位報(bào)告自上次讀取 STATUS 寄存器以來(lái)是否發(fā)生了電源不良事件（輸出電壓過(guò)低）。 0b = 未發(fā)生電源不良欠壓事件 1b = 發(fā)生了電源不良欠壓事件 |
| 0 | PBOV | R | 0b | 電源不良過(guò)壓。該位報(bào)告自上次讀取 STATUS 寄存器以來(lái)是否發(fā)生了電源不良事件（輸出電壓過(guò)高）。 0b = 未發(fā)生電源不良過(guò)壓事件 1b = 發(fā)生了電源不良過(guò)壓事件 |