ZHCSYK2 July 2025 TPSM65630
ADVMIX
7.3.9.2 過流和短路保護
TPSM656x0 通過針對高側和低側 MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護。
高側 MOSFET 過流保護是通過峰值電流模式控制的特性來實現的。當高側開關在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側開關電流。在每個開關周期，將高側開關電流與固定電流設定點的最小值，或與電壓調節環路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于電壓環路具有最大值并且斜率補償隨占空比增加，因此如果占空比高于 35%，高側電流限值會隨著占空比的增加而減小。
當低側開關接通時，也會檢測和監控流經的電流。與高側 MOSFET 一樣，電壓控制環路會控制低側 MOSFET 關斷。對于低側器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關周期，也會在超過電流限值時阻止關斷。與高側器件一樣，關斷電流的高低也受到限制。該限制稱為低側電流限制；有關具體值，請參閱電氣特性。如果超出 LS 電流限值，LS MOSFET 將保持導通狀態，HS 開關不會導通。LS 開關在 LS 電流降至限值以下后關斷。只要自 HS 器件上次導通后至少經過一個時鐘周期 HS 開關就會再次導通。
圖 7-9 電流限值波形高側和低側限流運行的最終影響是 IC 在遲滯控制下運行。由于電流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之間，因此除非占空比非常高，否則輸出電流接近這兩個值的平均值。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
過載條件一旦消除，器件就會像在軟啟動中一樣恢復；請參閱 節 7.3.8。請注意，如果輸出電壓降至預期輸出電壓的大約 0.4 倍以下，則會觸發斷續。