TPSM65630
- 多功能同步降壓直流/直流模塊
- 集成 MOSFET、電感器和控制器
- 3V 到 65V 的寬輸入電壓范圍
- 40ns(最大值)低最短導通時間可在 2.2MHz 上實現 36V 至 3.3V 的轉換
- -40°C 至 150°C 的結溫范圍
- 具有非屏蔽電感器的 5.80mm × 5.20mm × 2.93mm 增強型 HotRod? QFN 封裝
- 頻率可在 300kHz 至 2.2MHz 之間調整
- 在整個負載范圍內具有超高效率
- 24VIN、5VOUT、400kHz 時峰值效率 > 92%
- 2.5μA PFM 空載輸入電流
- 針對超低 EMI 要求進行了優化
- 有助于符合 CISPR 11 B 類標準
- 通過模式引腳可配置 ±5% 或 ±10% 雙隨機展頻,可降低峰值發射
- 具有對稱引腳排列的增強型 HotRod QFN 封裝
- 可通過引腳配置 400kHz 和 2.2MHz
- 引腳可配置自動或 FPWM 運行
- 輸出電壓和電流選項
- 3.3V 或 5V 的 VOUT 固定輸出型號
- 可調輸出電壓范圍為 1V 至 24V
- 3A、2A 和 1A 輸出電流選項
- 固有保護特性,可實現穩健設計
- 精密使能輸入和開漏電源良好指示器(用于時序、控制和 VIN UVLO)
- 過流和熱關斷保護
TPSM656x0 系列包括 3A、2A 和 1A、65V(耐受 70V)的輸入同步降壓直流/直流電源模塊,它在緊湊且易于使用的 5.8mm × 5.2mm × 2.93mm 的 19 引腳增強型 HotRod QFN 封裝中整合了功率 MOSFET、集成電感器和無源元件。TPSM656x0 具有 3.3V 和 5V 的引腳選擇固定輸出電壓以及 1V 到 24V 的可調輸出電壓,旨在快速、輕松地實現小尺寸 PCB 的低 EMI 設計。該模塊僅需輸入和輸出濾波電容器即可完成設計,并省去了設計過程中的磁性元件和補償器件選擇過程。可通過引腳選擇的 ±5% 或 ±10% 雙隨機展頻 (DRSS) ,通過三角調制與假隨機調制的組合顯著降低峰值發射,同時保持超低的輸出電壓紋波。
技術文檔
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查看全部 4 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數據表 | TPSM656x0 采用增強型 HotRod? QFN 封裝、高密度、3V 至 65V 輸入、1V 至 24V 輸出、3A 、2A、1A 同步直流/直流降壓電源模塊 數據表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 7月 16日 |
| 功能安全信息 | TPSM656x0 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA | PDF | HTML | 2025年 9月 18日 | |||
| EVM 用戶指南 | TPSM65630SEVM 評估模塊 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 8月 23日 | |
| 證書 | TPSM65630SEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 7月 2日 |
設計和開發
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評估板
TPSM65630SEVM — TPSM65630 評估模塊
德州儀器 (TI) TPSM65630SEVM 評估模塊 (EVM) 可幫助設計人員評估 TPSM65630 系列寬輸入電壓降壓模塊的運行情況和性能。TPSM65630 是易于使用的同步降壓模塊系列,能夠通過高達 65V 的輸入電壓提供高達 1A、2A 或 3A 的負載電流。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| B1QFN (VCG) | 19 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
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