ZHCSPW5C September 2022 – October 2025 TPSM365R3 , TPSM365R6
PRODUCTION DATA
TPSM365Rx 通過針對高側和低側 MOSFET 的逐周期限流電路在過流情況下得到保護。每個開關周期都會將電流與電流限制閾值進行比較。在過流情況下，輸出電壓會降低。
高側 MOSFET 過流保護是通過典型峰值電流模式控制方案來實現的。當高側開關在較短的消隱時間后導通時，將檢測到高側開關電流。在每個開關周期，將高側開關電流與固定電流設定點的最小值，或與內部誤差放大器環路的輸出減去斜率補償之后的值進行比較。由于內部誤差放大器環路的輸出具有最大值，并且斜率補償隨著占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高側電流限值會隨著占空比的增加而降低。
當低側開關接通時，也會檢測和監控流經它的電流。與高側器件一樣，低側器件會根據內部誤差放大器環路的命令來關斷。在使用低側器件的情況下，如果電流超過這個值，即使振蕩器通常啟動一個全新的開關周期，也可防止關斷。與高側器件一樣，關斷電流的高低也受到限制。這稱為低側電流限值。如果超出低側電流限值，低側 MOSFET 將保持導通狀態，高側開關不會導通。一旦低側電流降至此限值以下，低側開關就會關斷，并且只要自高側器件上次導通后至少經過一個時鐘周期，高側開關就會再次導通。