設計人員必須密切關注 PCB 布局，以便實現 TPSI310x-Q1、TPSI311x-Q1、TPSI312x-Q1 和 TPSI3133-Q1 系列的最佳性能。以下是一些主要的指導準則：

• 組件放置：
  • 將驅動器放置在盡可能靠近功率半導體的位置，以減小 PCB 引線上柵極環路的寄生電感。
  • 在 VDDH 和 VDDM 引腳與 VDDM 和 VSSS 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器，以便在導通外部功率晶體管時旁路噪聲并支持高峰值電流。
  • 在 VDDP 和 VSSP 引腳之間靠近器件的位置連接具有低 ESR 和低 ESL 的電容器。
  • 更大限度地減小 RESP 引腳上的寄生電容。
• 接地注意事項：
  • 將對晶體管柵極進行充電和放電的高峰值電流限制在最小的物理區域內。該限制可降低環路電感并最大程度地降低晶體管柵極端子上的噪聲。柵極驅動器應盡可能靠近晶體管。
  • 在驅動器 VSSS 與 MOSFET 源極或 IGBT 發射極之間建立開爾文連接。如果功率器件沒有分離式開爾文源極或發射極，請將 VSSS 引腳盡可能靠近功率器件封裝的源極或發射極端子連接，以將柵極環路與高功率開關環路分開。
• EMI 注意事項：

  TPSI310x-Q1、TPSI311x-Q1、TPSI312x-Q1 和 TPSI3133-Q1 系列采用展頻調制 (SSM) 以獲得優化的 EMI 性能。根據系統設計人員的系統要求和安全偏好，可以采取以下額外措施來更大限度降低 EMI：

  • 電感元件：可以將一對鐵氧體磁珠或共模扼流圈與 VDDP 電源和 VSSP 接地端串聯放置，以增加共模環路阻抗。
  • 電容元件：大多數設計已經采用分立式 Y 電容器或者在高壓域和低壓域之間包含寄生 Y 電容。通過在與 TPSI310x-Q1、TPSI311x-Q1、TPSI312x-Q1 和 TPSI3133-Q1 系列相同的板上集成該 Y 電容，可提供從次級側到初級側的電容返回路徑。
• 高電壓注意事項：
  • 為確保初級側和次級側之間的隔離性能，請避免在驅動器器件下方放置任何 PCB 跡線或銅。TI 建議使用 PCB 切口或坡口來防止可能影響隔離性能的污染。
• 散熱注意事項：
  • 適當的 PCB 布局有助于將器件產生的熱量散發到 PCB，并最大限度地降低結到電路板的熱阻抗 (θ_JB)。
  • 如果系統有多個層，TI 還建議通過具有足夠尺寸的通孔將 VDDH 和 VSSS 引腳連接到內部接地或電源平面。這些通孔必須靠近 IC 引腳，以更大限度地提高熱導率。不過，請記住，不要重疊來自不同高電壓平面的跡線或銅。