以下列表總結(jié)了用于優(yōu)化 AEF 性能的 PCB 布局和元件放置基本指南。圖 9-9 和圖 9-10 顯示了 TPSF12C3-Q1 電路的推薦布局，尤其是 IC 和小信號元件的優(yōu)化布局和布線。圖 9-11 顯示了一個(gè)三相四線濾波器電路板設(shè)計(jì)示例，其中包含 CM 扼流圈、X 電容器、Y 電容器、保護(hù)元件（壓敏電阻和 X 電容器放電電阻）和 AEF 電路。
- 將檢測和注入電容器放置在 CM 扼流圈之間，靠近將注入信號耦合到其他電源線的 X 電容器。避免將元件放置在靠近 CM 扼流圈繞組的位置，否則可能導(dǎo)致與檢測和注入電容器的寄生耦合。
- 在高壓和低壓布線之間保持足夠的間隙間距。例如，圖 9-11 從電源線（火線和零線）到機(jī)箱接地的覆銅間距為 150mil (3.8mm)。
- 使檢測線路 S1、S2、S3 和 S4 遠(yuǎn)離 INJ 線路。避免檢測布線和注入布線之間的耦合。
- 在 TPSF12C3-Q1 和濾波器電路板之間使用牢固的接地連接。盡可能地減少從 AEF 電路返回到電路板上機(jī)箱接地連接的寄生電感。
- 在靠近 VDD 和 IGND 的位置放置一個(gè)陶瓷電容器。盡可能地減小到 VDD 和 IGND 引腳的環(huán)路面積。
- 將補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)元件放置在靠近 COMP1 和 COMP2 引腳的位置。通過將元件 RG、CG1 和 CG2 放置在靠近 COMP 引腳的位置，降低反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)路徑的噪聲靈敏度。COMP2 是 AEF 放大器的反相輸入，代表對噪聲敏感的高阻抗節(jié)點(diǎn)。
- 提供足夠大的 PCB 面積，以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)纳帷?/em>使用足夠的銅面積來實(shí)現(xiàn)低的熱阻抗。為 TPSF12C3-Q1 提供足夠的散熱，以將結(jié)溫保持在 150°C 以下。頂部接地平面是一個(gè)重要的散熱區(qū)域。使用多個(gè)散熱過孔將 REFGND（引腳 9）和 IGND（引腳 14）連接到其他層上的接地覆銅區(qū)。