INJ 引腳和注入電容器之間連接的元件會(huì)建立阻尼注入網(wǎng)絡(luò)。特別需要阻尼來(lái)管理 CM 扼流圈電感和注入電容之間的諧振，這在 AEF 環(huán)路增益中表現(xiàn)為一對(duì)復(fù)數(shù)零。

圖 9-3 突出顯示三個(gè)特定的 RC 分支：R_D1、R_D1A 和 C_D1 從 INJ 引腳形成一個(gè)分支；R_D2 和 C_D2 串聯(lián)連接到 GND；R_D3 和 C_D3 并聯(lián)連接到注入電容器。

根據(jù)注入機(jī)制，AEF 電路對(duì) CM 噪聲提供低分流阻抗。根據(jù)圖 9-3 中突出顯示的三個(gè)阻尼阻抗分支，方程式 1 將 AEF 阻抗近似為：

其中，G_AEF 項(xiàng)是從電源線到 INJ 節(jié)點(diǎn)的增益（請(qǐng)參閱 TPSF12C3-Q1 快速入門計(jì)算器了解相關(guān)詳細(xì)信息）。

方程式 1 顯示阻抗 Z_INJ 與 Z_D3 以及并聯(lián)的 Z_D1 和 Z_D2 組合串聯(lián)。此外，增益 G_AEF 通過(guò) Z_D2 和 Z_D1 之間的分壓器分壓比而減小。這些效應(yīng)共同增加了 AEF 的有效阻抗，因而降低了其衰減性能，這就展示了性能和穩(wěn)定性之間的權(quán)衡。

因此，雖然需要注入網(wǎng)絡(luò)來(lái)保持穩(wěn)定性，但它也會(huì)增加與注入電容器串聯(lián)的阻抗，從而影響降低 EMI 的效果。如下所示，用戶可以通過(guò)仔細(xì)和適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)盡可能減少對(duì)性能的影響。

如圖 9-4 所示，在 5kHz 至 50kHz 范圍內(nèi)的低頻下，元件 R_D1 和 C_D2 提供補(bǔ)償，而 R_D3 抑制 LC 諧振的影響。在較高頻率（10kHz 以上）下，每個(gè)分支的主要元件阻抗會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)換，以實(shí)現(xiàn)更好的衰減性能：

• R_D1 轉(zhuǎn)換為 C_D1
• C_D2 轉(zhuǎn)換為 R_D2
• R_D3 轉(zhuǎn)換為 C_D3

最后，如果 AEF 環(huán)路的相位裕度在高頻（通常高于 100kHz）下需要，則 C_D1 轉(zhuǎn)換為 R_D1A。當(dāng)從順時(shí)針方向查看時(shí)，圖 9-4 顯示了上述轉(zhuǎn)換隨頻率增加按序發(fā)生。

以下是為注入網(wǎng)絡(luò)選擇元件值的基本指導(dǎo)原則：

1. 無(wú)阻尼環(huán)路增益特性在 5kHz 至 50kHz 范圍內(nèi)可能不穩(wěn)定，如前所述，這與 CM 扼流圈電感和注入電容之間的 LC 諧振有關(guān)。從電路仿真（或使用 TPSF12C3-Q1 快速入門計(jì)算器）觀察頻率 f_LFstability，此時(shí)相位交叉 –180° 且增益為正，表示負(fù)增益裕度。
2. 選擇一個(gè)轉(zhuǎn)角頻率，通過(guò) R_D1 和 C_D2 使其等于不穩(wěn)定性頻率的五分之一：
   方程式 2.
   指定 R_D1 = 1kΩ，并假設(shè)在 35kHz 下不穩(wěn)定，使用方程式 3 來(lái)找到 C_D2 的電容值：
   方程式 3.
3. 選擇 C_D1 < C_D2，典型的選擇是 C_D1 = C_D2/5 = 4.7nF。
4. 選擇 R_D2 的電阻，以使 R_D2、C_D2 的轉(zhuǎn)角頻率等于 R_D1、C_D1 的轉(zhuǎn)角頻率：
   方程式 4.
5. 選擇 R_D3 的電阻來(lái)抑制不穩(wěn)定頻率 f_LFstability 附近的諧振。
   • R_D3 的典型選擇為 500Ω 至 1kΩ。
   • 指定 C_D3 等于 C_INJ 或適用的值，以使 R _D3、C_D3 轉(zhuǎn)角頻率小于開關(guān)頻率。
   • R_D3 的電阻越低，阻尼越大，但代價(jià)是高頻衰減減少（或強(qiáng)制 C_D3 的值較高，以保持適用的轉(zhuǎn)角頻率低于開關(guān)頻率）。
6. 為 R_D1A 選擇 50Ω 的電阻，以提高 AEF 環(huán)路的相位裕度（如果需要）。