ZHCSVV3B April 2024 – April 2025 TPS7H4011-SEP , TPS7H4011-SP
PRODMIX
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
該器件實(shí)現(xiàn)了電流模式控制,可使用 COMP 引腳電壓逐周期控制高側(cè) MOSFET 的關(guān)斷和低側(cè) MOSFET 的導(dǎo)通。在每個(gè)周期內(nèi),開(kāi)關(guān)電流都會(huì)和 COMP 引腳電壓產(chǎn)生的電流基準(zhǔn)進(jìn)行比較。當(dāng)峰值開(kāi)關(guān)電流達(dá)到編程的高側(cè)電流 IOC_HS1 時(shí),高側(cè)開(kāi)關(guān)立即關(guān)斷(但高側(cè)將至少在最短導(dǎo)通時(shí)間 tON 內(nèi)導(dǎo)通)。
HS1 是利用 COMP 電壓實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)器件接近 IOC_HS1 時(shí),COMP 增加,導(dǎo)致器件的 gmps 接近零。因此,當(dāng) COMP 值足夠高時(shí),輸出電流基本上被鉗位到所選值。圖 8-17 的簡(jiǎn)化波形中顯示了此功能。
請(qǐng)注意,由于測(cè)試性限制,IOC_HS1 閾值規(guī)格是在開(kāi)環(huán)配置下測(cè)量的,而實(shí)際的短路事件是動(dòng)態(tài)的,并且是在閉環(huán)控制下發(fā)生的。在大多數(shù)情況下,得到的電流限制值會(huì)相似,但在某些短路條件下,值可能會(huì)超出規(guī)定的閾值。尤其在 VIN 值較低(如低于 5V)、開(kāi)關(guān)頻率更高和溫度較低時(shí),這種情況尤為明顯。
高側(cè) 1 過(guò)流保護(hù) (HS1) 閾值可通過(guò)利用 ILIM 引腳在四種不同的電流限值之間進(jìn)行選擇。通過(guò)將電流限制到特定值,可以適當(dāng)調(diào)整電感器的大小以處理最大電流。
過(guò)流限值由 ILIM 引腳上的電壓以 AVDD(LDOCAP 輸出)的百分比的形式進(jìn)行編程。因此,從 AVDD 到 GND 的電阻分壓器應(yīng)饋送 ILIM。表 8-4 顯示了建議使用的電阻分壓器值。其他使用相同比率的值也是可以接受的。表 8-4 還顯示了所選電流限值的建議最大直流輸出電流(但支持的精確輸出電流大小取決于給定配置的紋波電流)。
| IOUT (建議的最大直流) (A) |
IOC_HS1 (典型值) (A) |
RILIM_TOP (k?) |
RILIM_BOT (k?) |
|---|---|---|---|
| 3 | 5.6 | ∞ | 0 |
| 6 | 9 | 100 | 49.9 |
| 9 | 13.4 | 49.9 | 100 |
| 12 | 18.3 | 0 | ∞ |