ZHCSVV3B April 2024 – April 2025 TPS7H4011-SEP , TPS7H4011-SP
PRODMIX
有時,HS1 電流限值不足以保護器件。例如,短路可能會非常激進,即使高側僅在最短導通時間 tON 內開啟,電流也會繼續上升。為降低這種風險,TPS7H4011 實施了高側過流保護 2 (HS2) 形式的次級過流保護。
當通過高側 MOSFET 的電流達到或超過 IOC_HS2 時,達到 HS2 電流限值。為了防止電流持續增加,將跳過接下來的四個高側周期,而低側 MOSFET 保持導通狀態,以便對電感器進行放電。圖 8-18 展示了此操作的簡化波形。
與 IOC_HS1 電流限制類似,IOC_HS2 的限制閾值也是在開環配置下測量的,這是由于測試能力的限制,而實際的短路事件是動態的并且發生在閉環系統中。
正如 ILIM 引腳上的電壓會設置高側 1 電流限值一樣,它也會設置高側 2 電流限值。表 8-5 展示了使用與表 8-4 中的高側 1 電流限制值相同的建議電阻分壓器值而得到的高側 2 電流限制值。
| IOUT (建議的最大直流) (A) |
IOC_HS2 (典型值) (A) |
RILIM_TOP (k?) |
RILIM_BOT (k?) |
|---|---|---|---|
| 3 | 6.6 | ∞ | 0 |
| 6 | 11.1 | 100 | 49.9 |
| 9 | 17 | 49.9 | 100 |
| 12 | 23.9 | 0 | ∞ |