ZHCSRP0F February 2023 – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
| HBL 封裝 | PWP 封裝 |
| 14 引腳 CFP | 28 引腳 HTSSOP |
| (俯視圖) | (俯視圖) |
| 引腳 | I/O(1) | 說明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | HBL (14) 編號 | PWP (28) 編號 | ||
| BIAS | 1 | 3 | I | 輔助電源。為了支持最大輸出電流,如果余量電壓低于 1.6V (Vheadroom = Vin – Vout < 1.6V),則需要單獨的輔助電源。將單獨的輔助電源設置為至少比 VOUT 高 1.6V 的電壓,以支持最大輸出電流。12V 輔助電源可滿足這些條件(通常 5V 電源也足夠了)。VBIAS 和 VIN 之間沒有時序要求。 為了限制 BIAS 上的噪聲,除非 VBIAS 是超潔凈電源,否則建議使用 RC 濾波器(通常為 10Ω 和 4.7μF)。如果未使用單獨的輔助電源,則將 BIAS 連接至 VIN(還建議通過 RC 濾波器將 VIN 電源軌連接至 BIAS 引腳)。 |
| EN | 2 | 4 | I | 使能。將此引腳驅動為邏輯高電平可啟用器件;將引腳驅動為邏輯低電平可禁用器件。如果不需要啟用功能,則將此引腳連接至 IN。請勿將該引腳懸空。 |
| IN | 3、4 | 6、7、8 | I | 輸入電源。建議在此引腳附近使用一個輸入電容器(標稱值為 10μF)。 |
| CLM | 5 | 9 | I | 限流模式。將 CLM 連接至 VIN 以實現磚墻式電流限制模式(當達到電流限制時,調節 VOUT 以保持恒定的輸出電流,直至消除故障)。將 CLM 連接至 GND 以實現關斷電流限制模式(當達到電流限制時,VOUT 停止調節,直至切換 EN)。啟用器件時,請勿更改此引腳的值,也不要將此引腳懸空。 |
| GND | 6 | 10、11 | — | 地。 |
| PG | 7 | 12 | O | 電源正常指示。這是一個開漏引腳。使用上拉電阻器將此引腳上拉至 VOUT 或期望的邏輯電平。如果未使用 PG,建議將其下拉至地,但也可以將其保持懸空狀態。 |
| REF | 8 | 18 | I/O | 基準引腳。REF 輸出標稱 1.2V 電壓。在 REF 至 GND 之間放置一個高精度 12.0kΩ 外部電阻器,以設置內部 100μA 電流源。 |
| SS_SET | 9 | 19 | I/O | 軟啟動和電壓設置引腳。使用外部電容器(標稱值為 4.7μF 的陶瓷電容器)在啟動期間降低輸出電壓斜升速率,同時濾除內部器件噪聲。低于 4.7μF 的電容器值會導致出現略高的輸出噪聲。有一個內部快速啟動電路可實現合理的軟啟動時間。此外,連接在 SS_SET 至 GND 之間的電阻器可設置輸出電壓。在標稱運行期間,此引腳上輸出 100μA,而 SS_SET 至 GND 之間的電阻器用于設置輸出電壓。 |
| STAB | 10 | 20 | I/O | 穩定性引腳。這是來自內部 OTA(運算跨導放大器)誤差放大器的輸出,有助于測量或優化控制環路。使用 4.7nF 和 5kΩ 的串聯電容器 (CCOMP) 和電阻器 (RCOMP) 來補償器件。有關不同的補償選項,請查看節 8.3.8.2。建議使用能夠承受 VBIAS 或 7.5V 中較低者的 C0G (NP0) 型電容器(例如,額定電壓為 25V 的電容器)。 |
| OUT | 11、12 | 21、22、23 | O | 輸出功率引腳。穩定輸出電壓。建議使用單個 220μF 或兩個 100μF 的鉭或鉭聚合物電容器。有關更多信息,請參閱節 8.3.8.1。 |
| OUTS | 13 | 25 | I | 輸出檢測引腳。此引腳用于檢測輸出電壓以進行調節。將 OUTS 連接至期望穩壓點(遙感)處的 OUT 引腳。 |
| FB_PG | 14 | 26 | I | 反饋和電源正常引腳。FB_PG 引腳用于設置可配置的電源正常閾值。通過電阻分壓器將輸出電壓饋送到此引腳來實現此功能(典型閾值為 300mV)。達到閾值時,PG 被置為有效。 此外,當達到此引腳上的閾值時,啟動結束,并且禁用內部快速啟動電路。如果此引腳直接連接至 OUT,則快速啟動操作會停止,并且在 VOUT 達到 300mV(典型值)后 PG 會置為有效。 |
| NC | 1、2、5、13、14、15、16、17、24、27、28 | — | 無連接。這個引腳不是內部連接。建議將這些引腳連接至 GND 以防止電荷積聚;但是,這些引腳也可以保持斷開或連接至 GND 和 VBIAS 之間的任何電壓。 | |
| 散熱焊盤 | — | 陶瓷封裝散熱焊盤在內部通過導電路徑連接到芯片的背面,并連接到 GND 引腳。建議將該金屬散熱焊盤連接到一個較大的接地層上,以便實現有效散熱。塑料封裝散熱焊盤通過導電路徑連接到芯片的背面,但它未在內部接地。將散熱焊盤連接到一個較大的接地層上以實現有效散熱,并提供芯片背面至 GND 的連接以確保正常運行。 | ||
| 金屬蓋 | Lid | 不適用 | — | 蓋子從內部通過密封圈連接到散熱焊盤和 GND。 |