ZHCSRP0F February 2023 – December 2023 TPS7H1111-SEP , TPS7H1111-SP
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應用
- 3 說明
- 4 器件選項表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規格
- 7 參數測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
機械數據 (封裝 | 引腳)
- HBL|14
- PWP|28
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- PWP|28
訂購信息
9.4 TID 效應
電氣特性中列出的大多數規格都使用自動測試設備 (ATE) 進行測試。因此，可在輻照前和輻照后條件下輕松測試這些規格。此外，這些規格通常是 RLAT（輻射批次驗收測試）流的一部分。但是，某些規格很難在 ATE 上進行測量（例如，由于具有高增益或對寄生效應敏感），因此僅在基準特性描述期間進行測量。通常，這些規格不是在輻照后測量。
PSRR、噪聲和穩定性是使用 ATE 時未涵蓋的關鍵規格，因此不屬于傳統 RLAT 流。為了提供這些關鍵規格的額外信息，對三個 EVM 執行了一次性特性描述。在 100krad(Si) 的高劑量率 (HDR) 下偏置和暴露這三個 EVM。
所有 PSRR、噪聲和穩定性測量在輻照條件下結果良好。概括如下：
- 在 100Hz 至 1kHz 范圍內，在承受 TID 后測得的 PSRR 略有降低。器件 1 顯示在承受 TID 后大約降低 10dB；但由于難以測量如此高的增益，因此認為是由與設置相關的問題所致。在任何情況下，PSRR 在此范圍內仍然極高 (> 95dB)。
- 在 100Hz 以下和 1kHz 以上，在承受 TID 后測得的 PSRR 略有降低。
- 在 10Hz 至 10kHz 范圍內，測得的噪聲逐漸升高。
- 在 10Hz 以下和 100kHz 以上，噪聲的測量結果大致相同。
- 承受 TID 之后，計算出的 RMS 噪聲平均高出 120nVRMS。
- 平均相位裕度幅度漂移約為 7°。對于所有之前和之后的測量，相位裕度都保持高位。
- 平均增益裕度幅度漂移約為 2dB。這種變化被認為很小，并且可能在測量誤差范圍內。
完整數據如下。除非另有說明，否則 EVM 條件為 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，COUT = 2x100μF（請參閱表 9-4），CSS = 4.7μF，RREF = 12.0k?，RBIAS = 10?，CBIAS = 4.7μF，TA = 25°C，10Hz 至 100kHz 帶寬下報告的積分噪聲。
圖 9-6 PSRR，IOUT = 100mA
圖 9-8 噪聲頻譜密度，IOUT = 100mA
輻照前：相位裕度 = 78°，增益裕度 = 24dB
輻照后：相位裕度 = 82°，增益裕度 = 23dB
圖 9-10 波特圖：器件 1，IOUT = 100mA
輻照前：相位裕度 = 81°，增益裕度 = 23dB
輻照后：相位裕度 = 76°，增益裕度 = 26dB
圖 9-12 波特圖：器件 2，IOUT = 100mA
輻照前：相位裕度 = 78°，增益裕度 = 24dB
輻照后：相位裕度 = 81°，增益裕度 = 21dB
圖 9-14 波特圖：器件 3，IOUT = 100mA
圖 9-7 PSRR，IOUT = 1A
圖 9-9 噪聲頻譜密度，IOUT = 1A
輻照前：相位裕度 = 91°，增益裕度 = 18dB
輻照后：相位裕度 = 100°，增益裕度 = 16dB
圖 9-11 波特圖：器件 1，IOUT = 1A
輻照前：相位裕度 = 96°，增益裕度 = 17dB
輻照后：相位裕度 = 88°，增益裕度 = 19dB
圖 9-13 波特圖：器件 2，IOUT = 1A
輻照前：相位裕度 = 90°，增益裕度 = 18dB
輻照后：相位裕度 = 101°，增益裕度 = 15dB
圖 9-15 波特圖：器件 3，IOUT = 1A