ZHCSMT2N July 2001 – January 2025 TPS793
PRODUCTION DATA
不同封裝類型的芯片散熱能力是不同的,在印刷電路板 (PCB) 布局過程中應區別對待。器件周圍沒有其他組件的 PCB 區域會將器件的熱量散發到周圍空氣中。熱性能信息 表中列出了 JEDEC 低 K 電路板和高 K 電路板的性能數據。使用較重的覆銅可提高器件的散熱效率。此外,在散熱層添加鍍層穿孔也可以提高散熱效率。
功耗取決于輸入電壓和負載情況。功率耗散 (PD) 等于輸出電流乘以輸出導通元件(VIN 至 VOUT)上的壓降所得到的乘積,如方程式 4 所示。
其中:

靜態電流導致的功率耗散可以忽略不計。過多功率耗散會觸發過熱保護電路。
圖 7-8 展示了 TPS730 的最高環境溫度與功率耗散之間的關系。該圖假設器件焊接在 JEDEC 標準高 K 布局上,電路板上沒有氣流。電路板的實際熱阻抗差異很大。如果應用需要高功率耗散,則透徹了解電路板溫度和熱阻抗有助于驗證 TPS730 在高于 125°C 結溫的情況下是否無法運行。
圖 7-8 最高環境溫度與功率耗散間的關系可以通過使用熱性能信息 表中所示的熱指標 ψJT 和 ψJB 來估算結溫。與 RθJA 相比,這些指標是芯片和封裝熱傳遞特性的更準確表示。可以使用方程式 5 來估算結溫。

其中
TT 和 TB 都可以使用實際測溫儀(紅外溫度計)在實際應用板上進行測得。
有關測量 TT 和 TB 的詳細信息,請參閱使用新的熱指標 應用手冊 (SBVA025),該應用手冊可從 www.ti.com 下載。