ZHCSMT2N July 2001 – January 2025 TPS793
PRODUCTION DATA
0.1μF 或更大的陶瓷輸入旁路電容器連接在 IN 和 GND 之間，并靠近 TPS793 的舊芯片，能夠實現(xiàn)穩(wěn)定性并改善瞬態(tài)響應、噪聲抑制和紋波抑制。需要一個 1μF 或更大的陶瓷輸入旁路電容器，連接在 IN 和 GND 之間，并靠近 TPS793 的新芯片，該電容器能夠確保穩(wěn)定性，并改善瞬態(tài)響應、噪聲抑制和紋波抑制。如果有可能出現(xiàn)較大、快速上升時間的負載瞬態(tài)或者器件距離電源幾英寸遠的話，有可能需要一個更大電容值的輸入電容器。
與大多數(shù)低壓降穩(wěn)壓器一樣，TPS793 需要在 OUT 和 GND 之間連接一個輸出電容器，以穩(wěn)定內部控制環(huán)路。建議的最小電容為 2.2μF。只要電容不隨溫度的變化而顯著變化，任何 2.2μF 或更大的陶瓷電容器都適用。如果負載電流預計不會超過 100mA，則可以使用 1.0μF 陶瓷電容器。如果不使用前饋電容器（例如在單位增益配置中）或選擇小于 1.8V 的輸出電壓，則建議使用的最小輸出電容器是 4.7μF 而非 2.2μF。表 7-2 列出了幾種常見配置的建議輸出電容器尺寸。
| 條件 | COUT (μF) |
|---|---|
| VOUT < 1.8V 或 CFF = 0nF | 4.7 |
| VOUT > 1.8V，IOUT > 100mA | 2.2 |
| VOUT > 1.8V，IOUT < 100mA | 1 |