ZHCSVH2H May 2005 – July 2025 TPS732-Q1
PRODUCTION DATA
TPS732-Q1 系列器件使用一個 NMOS 導通晶體管來實現極低壓降。當 (VIN – VOUT) 低于壓降電壓 (VDO) 時，NMOS 導通器件處于其運行的線性區域并且輸入到輸出電阻是 NMOS 導通元件的 RDS-ON。
對于負載電流的較大階躍變化，TPS732-Q1 系列器件要求一個從 VIN 到 VOUT 的更大壓降以避免降低瞬態響應的性能。這個瞬變壓降區域的邊界大約為 dc 輸出的兩倍。在這個邊界之上的 VIN – VOUT 的值提供了正常瞬態響應。
在瞬態壓降區域內運行會增加恢復時間。從一個負載瞬態中恢復所需的時間是負載電流速率變化幅度、負載電流的變化速率、和可用動態空間（VIN 至 VOUT 壓降）的函數。在最差情況下（(VIN – VOUT) 的滿量程瞬時負載變化接近 dc 壓降水平），TPS732-Q1 系列器件可在幾百毫秒內返回特定的調節精度。