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ZHCSOG4E November 2023 – October 2025 TPS6287B10 , TPS6287B15 , TPS6287B20 , TPS6287B25 , TPS6287B30

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RZV|24
- MPQF690A

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

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10.2.2.2 選擇輸入電容器

與所有降壓轉(zhuǎn)換器一樣，TPS6287Bxx 器件的輸入電流是不連續(xù)的。輸入電容器為器件提供低阻抗能源，值、類型和位置對(duì)于正確運(yùn)行至關(guān)重要。TI 建議使用低 ESR 多層陶瓷電容器，以便實(shí)現(xiàn)理想性能。實(shí)際上，總輸入電容通常包括不同電容器的組合，其中較大的電容器在較低頻率下提供去耦，而較小的電容器在較高頻率下提供去耦。

TPS6287Bxx 器件采用蝶形布局，兩個(gè) VIN 引腳對(duì)位于封裝的兩個(gè)相對(duì)側(cè)。這使得輸入電容器可以對(duì)稱地放置在 PCB 上，以使產(chǎn)生的電磁場(chǎng)相互抵消，從而降低 EMI。

轉(zhuǎn)換器的占空比由以下公式給出：

方程式 8.

D = \frac{V_{O U T}}{η {\times V}_{I N}}

其中：

V_IN 是輸入電壓
V_OUT 是輸出電壓
η 是效率

方程式 9.

D = \frac{0.75}{0.9 \times 3.3} = 0.253

滿足輸入電壓紋波要求所需的輸入電容值由以下公式給出：

方程式 10.

C_{I N} = \frac{D \times (1 - D) \times I_{O U T}}{V_{I N (P P)} {\times f}_{s w}}

其中：

D 為占空比
f_sw 是開(kāi)關(guān)頻率
V_IN(PP) 是輸入電壓紋波
I_OUT 是輸出電流

方程式 11.

C_{I N} = \frac{0.253 \times (1 - 0.253) \times 11.3}{0.1 \times 1.5 \times 10^{6}} F = 14.2 μ F

通過(guò)方程式 10 計(jì)算得出的 C_IN 值是考慮所有降額、容差和老化影響后的有效電容。我們建議 C_IN 使用具有 X7R 電介質(zhì)（或類似介質(zhì)）的多層陶瓷電容器，并且這些電容器必須盡可能靠近 VIN 和 GND 引腳放置，以盡量減小環(huán)路面積。

表 10-3 列出了多個(gè)非常適合該應(yīng)用的電容器。然而，該列表并不詳盡，其他制造商提供的其他電容器也可能非常適用。

表 10-3 建議的輸入電容器列表

電容	尺寸	電壓額定值	制造商，器件型號(hào)
電容	mm（英寸）	電壓額定值	制造商，器件型號(hào)
470nF ±10%	1005 (0402)	10V	Murata，GCM155C71A474KE36D
470nF ±10%	1005 (0402)	10V	TDK，CGA2B3X7S1A474K050BB
10μF ±10%	2012 (0805)	10V	Murata，GCM21BR71A106KE22L
10μF ±10%	2012 (0805)	10V	TDK，CGA4J3X7S1A106K125AB
22μF ±10%	3216 (1206)	10V	Murata，GCM31CR71A226KE02L
22μF ±20%	3216 (1206)	10V	TDK，CGA5L1X7S1A226M160AC