對于降壓轉(zhuǎn)換器，在高側(cè) FET 的導(dǎo)通階段，開關(guān)電流以線性速度增加，速度由輸入電壓、輸出電壓、導(dǎo)通時間和輸出電感值決定。在低側(cè) FET 的導(dǎo)通階段，此電流以線性方式下降。開關(guān)電流的平均值等于負(fù)載電流。

TPS548A28 器件中的輸出過流限制 (OCL) 由逐周期谷值電流檢測控制電路實施。在關(guān)斷狀態(tài)期間會通過測量低側(cè) FET 漏源電流來監(jiān)控電感器電流。如果測得的低側(cè) FET 漏源電流高于電流限制閾值，則低側(cè) FET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到電流電平低于電流限制閾值。這種類型的行為會降低該器件提供的平均輸出電流。在過流情況下，流向負(fù)載的電流超過流向輸出電容器的電流。因此，輸出電壓趨于降低。最終，當(dāng)輸出電壓降至低于欠壓保護(hù)閾值 (80%) 時，UVP 比較器會檢測到該電壓并在 68μs 的等待時間后關(guān)斷該器件。該器件隨后進(jìn)入大約 14ms 的斷續(xù)睡眠周期。在這段等待時間之后，該器件會嘗試再次啟動。圖 7-3 展示了逐周期谷值電流限制行為以及該器件關(guān)斷前的等待時間。

如果在啟動期間發(fā)生 OCL 情況，該器件仍具有基于低側(cè)谷值電流的逐周期電流限制。軟啟動完成后，由 OC 事件引起的 UV 事件會關(guān)斷該器件并進(jìn)入斷續(xù)模式模式（等待時間為 68μs）。

從 TRIP 引腳連接到 AGND 的電阻 R_TRIP 可設(shè)置電流限制閾值。強烈建議使用容差為 ±1% 的電阻，因為容差較差的電阻提供的 OCL 閾值精度較低。Equation4 根據(jù)該器件上給定的過流限制閾值計算 R_TRIP。為了簡化計算，使用常數(shù) K_OCL 替換 6x10⁴ 的值。Equation5 根據(jù)給定的 R_TRIP 值計算過流限制閾值。K_OCL 的容差列在了電氣特性 中，可幫助您分析過流限制閾值的容差。

為了保護(hù)該器件以免意外連接到 TRIP 引腳上，該器件實現(xiàn)了一個內(nèi)部固定 OCL 鉗位。當(dāng) TRIP 引腳的電阻對于 AGND 而言過小或意外短接至接地端時，該內(nèi)部 OCL 鉗位會限制 LS FET 上的最大谷值電流。

Equation4.

其中

• I_OCLIM 是負(fù)載電流的過流限制閾值（單位為 A）
• R_TRIP 是 TRIP 電阻值（單位為 Ω）
• K_OCL 是用于該計算的常數(shù)
• V_IN 是輸入電壓值（單位為 V）
• V_O 是輸出電壓值（單位為 V）
• L 是輸出電感值（單位為 μH）
• f_SW 是開關(guān)頻率（單位為 MHz）

Equation5.

其中

• I_OCLIM 是負(fù)載電流的過流限制閾值（單位為 A）
• R_TRIP 是 TRIP 電阻值（單位為 Ω）
• K_OCL 是用于該計算的常數(shù)
• V_IN 是輸入電壓值（單位為 V）
• V_O 是輸出電壓值（單位為 V）
• L 是輸出電感值（單位為 μH）
• f_SW 是開關(guān)頻率（單位為 MHz）

圖 7-3 過流保護(hù)